Chih-Tang "Tom" Sah ( chino simplificado :萨 支 唐; chino tradicional :薩 支 唐; pinyin : Sà Zhītáng ; nacido en noviembre de 1932 en Beijing , China) es un ingeniero electrónico chino-estadounidense . Es mejor conocido por inventar la lógica CMOS ( MOS complementaria ) con Frank Wanlass en Fairchild Semiconductor en 1963. [1] CMOS ahora se usa en casi todos los dispositivos semiconductores modernos de integración a muy gran escala (VLSI) . [2]
Chih-Tang Sah | |
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Nació | Noviembre de 1932 (edad | 88)
alma mater | Universidad de Stanford Universidad de Illinois en Urbana-Champaign |
Carrera científica | |
Campos | Ingenieria |
Instituciones | Universidad de Florida |
Es el Pittman Eminent Scholar [3] y profesor de investigación graduado en la Universidad de Florida desde 1988. Fue profesor de física y profesor emérito de ingeniería eléctrica e informática en la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign , donde enseñó durante 26 años y guió a 40 estudiantes al doctorado. licenciatura en ingeniería eléctrica y en física y 34 tesis de maestría en EE . En la Universidad de Florida , dirigió 10 tesis doctorales en EE . UU . Ha publicado alrededor de 280 artículos de revistas y presentado alrededor de 170 conferencias invitadas y 60 artículos contribuidos en China, Europa, Japón, Taiwán y en los Estados Unidos sobre física, tecnología y evolución de transistores. [4] [5]
Escribió un libro de texto de tres volúmenes titulado Fundamentals of Solid State Electronics (FSSE, 1991). FSSE se tradujo al chino en 2003.
Biografía
Sah es miembro de la distinguida familia Fuzhou Sah, descendientes del prominente funcionario de la dinastía Yuan Sadula, en Fuzhou, China. Su padre, Pen-Tung Sah, era académico de la Academia Sinica y se desempeñó como presidente de la Universidad de Xiamen en las décadas de 1920 y 1930. [6] C.-T. Sah también tenía un hermano, Chih-Han Sah, que era matemático y profesor en la Universidad Estatal de Nueva York en Stony Brook . [7]
Sah recibió dos BS grados en 1953 en Ingeniería Eléctrica e Ingeniería Física de la Universidad de Illinois y la MS y Ph.D. grados de la Universidad de Stanford en 1954 y 1956, respectivamente. La investigación de su tesis doctoral fue sobre tubos de ondas viajeras bajo la tutela de Karl R. Spangenberg.
Su carrera industrial en electrónica de estado sólido comenzó con William Shockley en 1956 y continuó en Fairchild Semiconductor Corporation en Palo Alto de 1959 a 1964 hasta que se convirtió en profesor de física e ingeniería eléctrica en la Universidad de Illinois durante 25 años (1962-1988). . Bajo la dirección de Gordon E. Moore , Victor H. Grinich y Robert N. Noyce en Fairchild, Sah dirigió un Departamento de Física de Fairchild de 64 miembros sobre el desarrollo de tecnologías de fabricación de primera generación (oxidación, difusión, crecimiento de epitaxia y conductor de metal). deposición de película delgada) para la producción en volumen de transistores bipolares y MOS de silicio y tecnología de circuito integrado que incluye enmascaramiento de óxido para la difusión de impurezas, transistor Si MOS estable , el circuito CMOS , origen del ruido de baja frecuencia, el modelo de transistor MOS utilizado en el primer circuito simulador, resistencia integrada de película fina y proceso de epitaxia de Si para la producción de circuitos integrados bipolares.
Después de que Mohamed Atalla y Dawon Kahng de Bell Labs demostraron por primera vez el MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, o transistor MOS) a principios de 1960, Sah presentó la tecnología MOS a Fairchild Semiconductor con su tetrodo controlado por MOS fabricado a finales 1960. [8] En 1963, Sah inventó el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores CMOS (MOS complementario) con Frank Wanlass en Fairchild. [1] CMOS ahora se usa en casi todos los dispositivos LSI y VLSI modernos . [2]
Fue el editor fundador (1991) de la Serie Internacional sobre los Avances en Electrónica y Tecnología de Estado Sólido (ASSET), que publicó tres títulos de autores invitados (década de 1990) y actualmente publica seis monografías (2007-2008) de autores invitados en formato compacto. modelado de dispositivos para el diseño asistido por computadora de circuitos integrados, todo con la World Scientific Publishing Company, Singapur . Su investigación actual (2007) se ha centrado en los modelos de transistores MOS desde que fue reclutado en octubre de 2004 por sus jóvenes colegas para unirse a ellos, después de 40 años de ausencia después de 1964-Sah, 1965-Sah-Pao y 1966-Pao-Sah. artículos de revistas sobre modelos de transistores MOS, con el fin de ayudar aún más en el desarrollo de modelos compactos para el diseño asistido por computadora de circuitos integrados nanométricos MOS.
Por sus contribuciones en física y tecnología de transistores, recibió el premio Browder H. Thomson al mejor artículo (IRE-1962) para un autor menor de 30 años, el premio JJ Ebers en dispositivos electrónicos (1981) y el premio Jack Morton (1989), todos de el IEEE , el Certificado de Mérito del Instituto Franklin , el Primer Premio al Logro en Alta Tecnología de la Asociación de Fabricantes Asiáticos-Americanos en San José , CA (1984) (co-receptor con Morris Chang ), el Cuarto Premio Anual de Investigación Universitaria del Semiconductor Industry Association (1998), co-receptor en tecnología de circuitos integrados (con Yung Cheng Fung) en bioingeniería del primer premio de reconocimiento de Pioneer del Comité-de-100 (una organización ciudadana chino-estadounidense), el segundo premio anual Distinguished Lifetime Achievement Award de el Ingeniero Asiático-Americano del Año patrocinado por el Instituto Chino de Ingeniería / EE. UU. (2003) y el grado de Doctor Honoris Causa de la Universidad de Lovaina , Bélgica (1975) y el Doctora Honoris Causa te de la Universidad de Chiaotung, Taiwán , República de China (2004).
Fue incluido en una encuesta del Instituto de Información Científica como uno de los 1000 científicos más citados del mundo durante 1963-1978. Es miembro vitalicio de la Sociedad Estadounidense de Física , el Instituto Franklin y el IEEE, miembro de la Asociación Estadounidense para el Avance de la Ciencia , miembro de la Academia Nacional de Ingeniería de EE. UU. (1986), la Academia Sinica en Taipei (1998) ) y la Academia de Ciencias de China en Beijing (2000). Fue nombrado profesor honorario de la Universidad de Tsinghua (2003), la Universidad de Pekín (2003) y la Universidad de Xiamen (2004) de China.
Honores y premios
- 2004 - Doctorado Honoris Causa, Universidad Nacional Chiao-Tung [9]
- 2003 - Premio a la Trayectoria Distinguida, Instituto Chino de Ingenieros de EE. UU.
- 2002 - Premio de reconocimiento al pionero del Comité 100
- 2000 - Elegido miembro de la Academia de Ciencias de China
- 1999 - Académico, Academia Sinica de Taiwán
- 1999 - Premio de investigación universitaria de la Asociación de la industria de semiconductores
- 1998 - Premio de investigación universitaria, Asociación de la industria de semiconductores de EE. UU.
- 1995 - Miembro de la Asociación Estadounidense de Ciencias Avanzadas
- 1995 - Miembro vitalicio del IEEE
- 1994 - Premio al Logro de Alumnos, Universidad de Illinois
- 1989 - Premio IEEE Jack Morton
- 1986 - Elegido miembro de la Academia Nacional de Ingeniería de EE. UU.
- 1981 - Premio JJ Ebers, IEEE Electron Device Society
- 1975 - Doctoris Honoris Causa, KU Leuven
- 1975 - Certificado de mérito del Instituto Franklin
- 1971 - Miembro, Sociedad Estadounidense de Física
- 1969 - Miembro del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos
- 1000 científicos más citados del mundo, 1865-1978, Instituto de Información Científica
Patentes
- 3.204.160 - Dispositivo semiconductor controlado por potencial de superficie, agosto de 1965
- 3,280,391 - Transistor de alta frecuencia, octubre de 1966
- 3.243.669 - Dispositivo semiconductor controlado por potencial de superficie, marzo de 1969
- Patente pendiente - Metodología DCIV para la determinación rápida de la confiabilidad de transistores, con A. Neugroschel
- 4.343.962 - Célula solar de emisor de unión alta baja inducida por carga de óxido, con JG Fossum, SC Pao, FA Lindholm, 1982
Referencias
- ^ a b "1963: Se inventa la configuración del circuito MOS complementario" . Museo de Historia de la Computación . Consultado el 6 de julio de 2019 .
- ^ a b "1978: SRAM CMOS rápido de doble pozo (Hitachi)" (PDF) . Museo de Historia de Semiconductores de Japón . Archivado desde el original (PDF) el 5 de julio de 2019 . Consultado el 5 de julio de 2019 .
- ^ Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática de la Universidad de Florida Archivado el 12 de noviembre de 2007 en la Wayback Machine.
- ^ Fundamentos de la electrónica de estado sólido , Chih-Tang Sah. World Scientific, publicado por primera vez en 1991, reimpreso en 1992, 1993 (pbk), 1994, 1995, 2001, 2002, 2006, ISBN 981-02-0637-2 . - ISBN 981-02-0638-0 (pbk).
- ^ Precisión de los modelos de transistores MOS de base gruesa de canal largo y ancho , BB Jie y Chih-Tang Sah, Transacciones IEEE en dispositivos electrónicos, vol.54, no.8, agosto de 2007.
- ^ (Chino) Pen-Tung Sah Archivado el 7 de julio de 2011 en Wayback Machine , Campus de Ciencias de la Salud de la Universidad de Pekín
- ^ Chih-Han Sah , Sociedad matemática estadounidense
- ^ "1960 - Transistor de semiconductor de óxido de metal (MOS) demostrado" . El motor de silicio . Museo de Historia de la Computación .
- ^ "Universidad Nacional Chiao Tung, Doctorado Honoris Causa, 薩 支 唐" . www.nctu.edu.tw (en chino) . Consultado el 2 de agosto de 2018 .