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| Tipos de almacenamiento de datos y memoria de computadora |
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La memoria de solo lectura ( ROM ) es un tipo de memoria no volátil que se utiliza en computadoras y otros dispositivos electrónicos . Los datos almacenados en ROM no se pueden modificar electrónicamente después de la fabricación del dispositivo de memoria . La memoria de solo lectura es útil para almacenar software que rara vez se modifica durante la vida útil del sistema, también conocido como firmware . Las aplicaciones de software (como los videojuegos ) para dispositivos programables se pueden distribuir como cartuchos enchufables que contienen ROM .
La memoria de solo lectura se refiere estrictamente a la memoria que está cableada, como una matriz de diodos o un circuito integrado (IC) ROM de máscara , que no se puede cambiar [a] electrónicamente después de la fabricación. Aunque los circuitos discretos se pueden alterar en principio, mediante la adición de cables de la caja y / o la eliminación o reemplazo de componentes, los circuitos integrados no pueden. La corrección de errores o las actualizaciones del software requieren la fabricación de nuevos dispositivos y la sustitución del dispositivo instalado.
La memoria de semiconductores ROM de puerta flotante en forma de memoria de solo lectura programable y borrable (EPROM), memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM) y memoria flash se pueden borrar y reprogramar. Pero por lo general, esto solo se puede hacer a velocidades relativamente lentas, puede requerir un equipo especial para lograrlo y, por lo general, solo es posible una cierta cantidad de veces. [1]
El término "ROM" se usa a veces para referirse a un dispositivo ROM que contiene software específico, o un archivo con software que se almacenará en EEPROM o memoria Flash. Por ejemplo, los usuarios que modifican o reemplazan el sistema operativo Android describen los archivos que contienen un sistema operativo modificado o de reemplazo como " ROM personalizados " después del tipo de almacenamiento en el que se solía escribir el archivo.
Historia [ editar ]
ROM de componentes discretos [ editar ]
IBM usó almacenamiento de solo lectura de capacitor (CROS) y almacenamiento de solo lectura de transformador (TROS) para almacenar el microcódigo para los modelos System / 360 más pequeños, el 360/85 y los dos modelos iniciales System / 370 ( 370/155 y 370 / 165 ). En algunos modelos también había un almacén de control de escritura (WCS) para diagnósticos adicionales y soporte de emulación. La computadora de guía Apollo usó memoria de cable central , programada al pasar cables a través de núcleos magnéticos.
ROM de estado sólido [ editar ]
El tipo más simple de ROM de estado sólido es tan antiguo como la propia tecnología de semiconductores . Las puertas lógicas combinacionales se pueden unir manualmente para asignar una entrada de dirección de n bits a valores arbitrarios de salida de datos de m bits (una tabla de consulta ). Con la invención del circuito integrado llegó la máscara ROM . La ROM de máscara consta de una cuadrícula de líneas de palabras (la entrada de dirección) y líneas de bits (la salida de datos), unidas selectivamente con el transistorconmutadores y puede representar una tabla de búsqueda arbitraria con un diseño físico regular y un retardo de propagación predecible .
En la ROM de máscara, los datos se codifican físicamente en el circuito, por lo que solo se pueden programar durante la fabricación. Esto conduce a una serie de desventajas graves:
- Solo es económico comprar ROM de máscara en grandes cantidades, ya que los usuarios deben contratar a una fundición para producir un diseño personalizado.
- El tiempo de respuesta entre la finalización del diseño de una ROM de máscara y la recepción del producto terminado es largo, por la misma razón.
- Mask ROM no es práctico para el trabajo de I + D, ya que los diseñadores con frecuencia necesitan modificar el contenido de la memoria a medida que refinan un diseño.
- Si un producto se envía con una ROM de máscara defectuosa, la única forma de solucionarlo es retirar el producto y reemplazar físicamente la ROM en cada unidad enviada.
Los desarrollos posteriores han abordado estas deficiencias. La memoria programable de sólo lectura (PROM), inventada por Wen Tsing Chow en 1956, [2] [3] permitía a los usuarios programar su contenido exactamente una vez alterando físicamente su estructura con la aplicación de pulsos de alto voltaje. Esto solucionó los problemas 1 y 2 anteriores, ya que una empresa puede simplemente pedir un lote grande de chips PROM nuevos y programarlos con el contenido deseado a conveniencia de sus diseñadores.
El advenimiento del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal (MOSFET), inventado en Bell Labs en 1959, [4] permitió el uso práctico de transistores de semiconductor de óxido de metal (MOS) como elementos de almacenamiento de celdas de memoria en la memoria de semiconductores , una función que anteriormente cumplían los núcleos magnéticos en la memoria de la computadora . [5] En 1967, Dawon Kahng y Simon Sze de Bell Labs propusieron que la puerta flotante de un dispositivo semiconductor MOS podría usarse para la celda de una ROM reprogramable, lo que llevó aDov Frohman de Intel inventó la memoria de sólo lectura programable y borrable (EPROM) en 1971. [6] La invención de EPROM en 1971 básicamente resolvió el problema 3, ya que la EPROM (a diferencia de PROM) se puede restablecer repetidamente a su estado no programado mediante la exposición a una fuerte luz ultravioleta. .
La memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM), desarrollada por Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi y Kiyoko Naga en el Laboratorio Electrotécnico en 1972, [7] contribuyó en gran medida a resolver el problema 4, ya que una EEPROM se puede programar en el lugar si el dispositivo contenedor proporciona un medio para recibir el contenido del programa desde una fuente externa (por ejemplo, una computadora personal a través de un cable serial ). Memoria flash , inventada por Fujio Masuoka en Toshibaa principios de la década de 1980 y comercializada a fines de la de 1980, es una forma de EEPROM que hace un uso muy eficiente del área del chip y puede borrarse y reprogramarse miles de veces sin sufrir daños. Permite borrar y programar solo una parte específica del dispositivo, en lugar de todo el dispositivo. Esto se puede hacer a alta velocidad, de ahí el nombre "flash". [8] [9]
Todas estas tecnologías mejoraron la flexibilidad de la ROM, pero a un costo por chip significativo, de modo que, en grandes cantidades, la ROM de máscara seguiría siendo una opción económica durante muchos años. (El costo decreciente de los dispositivos reprogramables casi había eliminado el mercado de ROM de máscara para el año 2000). Se previeron tecnologías reescribibles como reemplazos de ROM de máscara.
El desarrollo más reciente es NAND flash , también inventado en Toshiba. Sus diseñadores rompieron explícitamente con la práctica anterior, afirmando claramente que "el objetivo de la memoria flash NAND es reemplazar los discos duros ", [10] en lugar del uso tradicional de ROM como una forma de almacenamiento primario no volátil . A partir de 2007 [actualizar], NAND ha logrado parcialmente este objetivo al ofrecer un rendimiento comparable al de los discos duros, una mayor tolerancia a los golpes físicos, una miniaturización extrema (en forma de unidades flash USB y pequeñas tarjetas de memoria microSD , por ejemplo) y un consumo de energía mucho menor.
Úselo para almacenar programas [ editar ]
Cada computadora con programa almacenado puede usar una forma de almacenamiento no volátil (es decir, almacenamiento que retiene sus datos cuando se corta la energía) para almacenar el programa inicial que se ejecuta cuando la computadora se enciende o comienza la ejecución (un proceso conocido como bootstrapping , a menudo abreviado como " booting " o "booting up"). Del mismo modo, cada computadora no trivial necesita algún tipo de memoria mutable para registrar los cambios en su estado a medida que se ejecuta.
Se emplearon formas de memoria de solo lectura como almacenamiento no volátil para programas en la mayoría de las primeras computadoras con programas almacenados, como ENIAC después de 1948 . (Hasta entonces no era una computadora con programas almacenados, ya que todos los programas tenían que conectarse manualmente a la máquina, lo que podía llevar días o semanas). La memoria de solo lectura era más sencilla de implementar, ya que solo necesitaba un mecanismo para leer los valores almacenados. y no cambiarlos en el lugar, y por lo tanto podría implementarse con dispositivos electromecánicos muy rudimentarios (ver ejemplos históricos a continuación). Con la llegada de los circuitos integrados en la década de 1960, tanto la ROM como su contraparte mutable RAM estática se implementaron como matrices de transistores.en chips de silicio; Sin embargo, una celda de memoria ROM podría implementarse usando menos transistores que una celda de memoria SRAM, ya que esta última necesita un pestillo (que comprende 5-20 transistores) para retener su contenido, mientras que una celda ROM puede consistir en la ausencia (0 lógico) o presencia (lógica 1) de un transistor que conecta una línea de bits a una línea de palabras. [11] En consecuencia, la ROM podría implementarse a un costo por bit más bajo que la RAM durante muchos años.
La mayoría de las computadoras domésticas de la década de 1980 almacenaban un intérprete o sistema operativo BÁSICO en ROM, ya que otras formas de almacenamiento no volátil, como las unidades de disco magnético , eran demasiado costosas. Por ejemplo, el Commodore 64 incluía 64 KB de RAM y 20 KB de ROM contenía un intérprete BASIC y el " KERNAL " de su sistema operativo. Las computadoras posteriores en el hogar u oficina, como IBM PC XT, a menudo incluían unidades de disco magnético y mayores cantidades de RAM, lo que les permitía cargar sus sistemas operativos desde el disco a la RAM, con solo un núcleo de inicialización de hardware y un cargador de arranque mínimos en la ROM (conocido como la BIOS en computadoras compatibles con IBM ). Esta disposición permitió un sistema operativo más complejo y fácilmente actualizable.
En las PC modernas, "ROM" se utiliza para almacenar el firmware de arranque básico para el procesador, así como los diversos firmware necesarios para controlar internamente dispositivos autónomos como tarjetas gráficas , unidades de disco duro , unidades de estado sólido , unidades de disco óptico , Pantallas TFT , etc., en el sistema. Hoy en día, muchas de estas memorias de "solo lectura", especialmente la BIOS / UEFI , a menudo se reemplazan por memorias EEPROM o Flash.(ver más abajo), para permitir la reprogramación en el lugar en caso de que surja la necesidad de una actualización de firmware. Sin embargo, subsistemas simples y maduros (como el teclado o algunos controladores de comunicación en los circuitos integrados en la placa principal, por ejemplo) pueden emplear ROM de máscara u OTP (programable una vez).
Las tecnologías ROM y sucesoras , como flash, prevalecen en los sistemas integrados . Estos se encuentran en todo, desde robots industriales hasta electrodomésticos y electrónica de consumo ( reproductores MP3 , decodificadores , etc.), todos los cuales están diseñados para funciones específicas, pero se basan en microprocesadores de uso general . Con el software generalmente estrechamente acoplado al hardware, rara vez se necesitan cambios de programa en tales dispositivos (que generalmente carecen de discos duros por razones de costo, tamaño o consumo de energía). A partir de 2008, la mayoría de los productos utilizan Flash en lugar de ROM de máscara, y muchos proporcionan algunos medios para conectarse a una PC para el firmware.actualizaciones; por ejemplo, un reproductor de audio digital podría actualizarse para admitir un nuevo formato de archivo . Algunos aficionados se han aprovechado de esta flexibilidad para reprogramar productos de consumo para nuevos propósitos; por ejemplo, los proyectos iPodLinux y OpenWrt han permitido a los usuarios ejecutar distribuciones de Linux con todas las funciones en sus reproductores MP3 y enrutadores inalámbricos, respectivamente.
La ROM también es útil para el almacenamiento binario de datos criptográficos , ya que dificulta su reemplazo, lo que puede ser deseable para mejorar la seguridad de la información .
Úselo para almacenar datos [ editar ]
Dado que la ROM (al menos en forma de máscara cableada) no se puede modificar, solo es adecuada para almacenar datos que no se espera que necesiten modificaciones durante la vida útil del dispositivo. Con ese fin, la ROM se ha utilizado en muchas computadoras para almacenar tablas de búsqueda para la evaluación de funciones matemáticas y lógicas (por ejemplo, una unidad de punto flotante podría tabular la función seno para facilitar un cálculo más rápido). Esto fue especialmente efectivo cuando las CPU eran lentas y la ROM era barata en comparación con la RAM.
En particular, los adaptadores de pantalla de las primeras computadoras personales almacenaban tablas de caracteres de fuente en mapa de bits en ROM. Esto generalmente significaba que la fuente de visualización del texto no se podía cambiar de forma interactiva. Este fue el caso de los adaptadores CGA y MDA disponibles con IBM PC XT.
El uso de ROM para almacenar cantidades tan pequeñas de datos ha desaparecido casi por completo en las computadoras modernas de uso general. Sin embargo, NAND Flash ha asumido un nuevo papel como medio para el almacenamiento masivo o el almacenamiento secundario de archivos.
Tipos [ editar ]
Programado de fábrica [ editar ]
Mask ROM es una memoria de solo lectura cuyo contenido es programado por el fabricante del circuito integrado (en lugar de por el usuario). Los contenidos de memoria deseados son proporcionados por el cliente al fabricante del dispositivo. Los datos deseados se convierten en una capa de máscara personalizada para la metalización final de las interconexiones en el chip de memoria (de ahí el nombre).
Es una práctica común utilizar memoria no volátil regrabable , como UV- EPROM o EEPROM , para la fase de desarrollo de un proyecto, y cambiar a ROM de máscara cuando se ha finalizado el código. Por ejemplo, los microcontroladores Atmel vienen en formatos EEPROM y ROM de máscara.
La principal ventaja de la ROM de máscara es su costo. Por bit, la ROM de máscara es más compacta que cualquier otro tipo de memoria semiconductora . Dado que el costo de un circuito integrado depende en gran medida de su tamaño, la ROM de máscara es significativamente más barata que cualquier otro tipo de memoria semiconductora.
Sin embargo, el costo de enmascaramiento por única vez es alto y hay un largo tiempo de respuesta desde el diseño hasta la fase del producto. Los errores de diseño son costosos: si se encuentra un error en los datos o el código, la máscara ROM es inútil y debe ser reemplazada para cambiar el código o los datos. [12]
En 2003, cuatro empresas producen la mayoría de estos chips ROM de máscara: Samsung Electronics , NEC Corporation , Oki Electric Industry y Macronix. [13] [ necesita actualización ]
Algunos circuitos integrados contienen solo ROM de máscara. Otros circuitos integrados contienen ROM de máscara, así como una variedad de otros dispositivos. En particular, muchos microprocesadores tienen ROM de máscara para almacenar su microcódigo . Algunos microcontroladores tienen ROM de máscara para almacenar el cargador de arranque o todo su firmware .
Los chips ROM clásicos programados con máscara son circuitos integrados que codifican físicamente los datos que se almacenarán y, por lo tanto, es imposible cambiar su contenido después de la fabricación.
Programable en campo [ editar ]
- La memoria programable de solo lectura (PROM) o la ROM programable de una sola vez (OTP) se pueden escribir o programar a través de un dispositivo especial llamado programador PROM . Normalmente, este dispositivo utiliza altos voltajes para destruir o crear enlaces internos ( fusibles o antifusibles ) de formapermanentedentro del chip. En consecuencia, una PROM solo se puede programar una vez.
- La memoria de solo lectura programable y borrable (EPROM) se puede borrar mediante la exposición a unaluz ultravioleta fuerte(generalmente durante 10 minutos o más), luego se puede reescribir con un proceso que nuevamente necesita un voltaje más alto de lo normal aplicado. La exposición repetida a la luz ultravioleta eventualmente desgastará una EPROM, pero la resistencia de la mayoría de los chips EPROM supera los 1000 ciclos de borrado y reprogramación. Los paquetes de chips EPROM a menudo se pueden identificar por la prominente"ventana" de cuarzo que permite la entrada de luz ultravioleta. Después de la programación, la ventana generalmente se cubre con una etiqueta para evitar el borrado accidental. Algunos chips EPROM se borran de fábrica antes de ser empaquetados y no incluyen ventana; estos son efectivamente PROM.
- La memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM) se basa en una estructura de semiconductores similar a la EPROM, pero permite que todo su contenido (o bancos seleccionados) se borre eléctricamente y luego se reescriba eléctricamente, de modo que no sea necesario quitarlos de la computadora ( ya sea de uso general o una computadora integrada en una cámara, reproductor MP3, etc.). Escribir o actualizar una EEPROM es mucho más lento (milisegundos por bit) que leer desde una ROM o escribir en una RAM (nanosegundos en ambos casos).
- La memoria de solo lectura eléctricamente alterable (EAROM) es un tipo de EEPROM que se puede modificar un bit a la vez. La escritura es un proceso muy lento y nuevamente necesita un voltaje más alto (generalmente alrededor de 12 V ) que el que se usa para el acceso de lectura. Los EAROM están pensados para aplicaciones que requieren una reescritura poco frecuente y solo parcial. EAROM se puede utilizar comoalmacenamiento no volátil para información crítica de configuración del sistema; En muchas aplicaciones, EAROM ha sido reemplazado por CMOS RAM suministrada por la red eléctrica y respaldada con una batería de litio .
- La memoria flash (o simplemente flash ) es un tipo moderno de EEPROM inventado en 1984. La memoria flash se puede borrar y reescribir más rápido que la EEPROM normal, y los diseños más nuevos presentan una resistencia muy alta (superior a 1.000.000 de ciclos). La memoria flash NAND modernahace un uso eficiente del área del chip de silicio, lo que da como resultado circuitos integrados individuales con una capacidad de hasta 32 GB a partir de 2007[actualizar]; esta característica, junto con su resistencia y durabilidad física, ha permitido que la memoria flash NAND sustituya a la memoria magnética en algunas aplicaciones (como las unidades flash USB ). La memoria flash NOR a veces se denomina flash ROM o flash EEPROM cuando se usa como reemplazo de tipos de ROM más antiguos, pero no en aplicaciones que aprovechan su capacidad para modificarse rápida y frecuentemente.
Al aplicar protección contra escritura , algunos tipos de ROM reprogramables pueden convertirse temporalmente en memoria de solo lectura.
Otras tecnologías [ editar ]
Existen otros tipos de memoria no volátil que no se basan en la tecnología IC de estado sólido, que incluyen:
- Medios de almacenamiento óptico , como CD-ROM que es de solo lectura (análogo a ROM enmascarado). CD-R es Write Once Read Many (análogo a PROM), mientras que CD-RW admite ciclos de borrado-reescritura (análogo a EEPROM); ambos están diseñados para ser compatibles con versiones anteriores de CD-ROM.
- ROM de matriz de diodos , utilizada en pequeñas cantidades en muchas computadoras en la década de 1960, así como en calculadoras de escritorio electrónicas y codificadores de teclado para terminales . Esta ROM se programó instalando diodos semiconductores discretos en ubicaciones seleccionadas entre una matriz de trazos de líneas de palabras y trazos de líneas de bits en una placa de circuito impreso .
- ROM de matriz de resistencia , condensador o transformador , utilizada en muchas computadoras hasta la década de 1970. Al igual que la ROM de matriz de diodos, se programaba colocando componentes en ubicaciones seleccionadas entre una matriz de líneas de palabras y líneas de bits . Las tablas de funciones de ENIAC eran ROM de matriz de resistencias, programadas mediante la configuración manual de interruptores giratorios. Varios modelos de IBM System / 360 y dispositivos periféricos complejos almacenaron su microcódigo en cualquiera de los capacitores (llamado BCROS para almacenamiento de solo lectura de capacitores balanceados en 360/50 y 360/65, o CCROS paratarjeta capacitor de almacenamiento de solo lectura en el 360/30 ) o transformador (llamado TROS para el almacenamiento de solo lectura del transformador en el 360/20 , 360/40 y otros) matriz ROM.
- Cuerda central , una forma de tecnología ROM de matriz de transformador utilizada donde el tamaño y el peso eran críticos. Este se utilizó en la NASA / MIT 's Computadoras nave espacial Apolo , DEC ' s PDP-8 computadoras, Hewlett-Packard 9100A calculadora, y otros lugares. Este tipo de ROM se programaba a mano tejiendo "cables de línea de palabras" dentro o fuera de los núcleos de los transformadores de ferrita .
- Tiendas Diamond Ring, en las que los cables se enhebran a través de una secuencia de grandes anillos de ferrita que funcionan solo como dispositivos de detección. Estos se utilizaron en centrales telefónicas TXE .
Velocidad [ editar ]
Aunque la velocidad relativa de la RAM frente a la ROM ha variado con el tiempo, a partir de 2007, [actualizar]los chips de RAM grandes se pueden leer más rápido que la mayoría de las ROM. Por esta razón (y para permitir un acceso uniforme), el contenido de la ROM a veces se copia en la RAM o se sombrea antes de su primer uso y, posteriormente, se lee de la RAM.
Escribiendo [ editar ]
Para aquellos tipos de ROM que se pueden modificar eléctricamente, la velocidad de escritura ha sido tradicionalmente mucho más lenta que la velocidad de lectura, y puede necesitar un voltaje inusualmente alto, el movimiento de los conectores de puente para aplicar señales de habilitación de escritura y códigos de comando de bloqueo / desbloqueo especiales. La memoria flash NAND moderna alcanza las velocidades de escritura más altas de cualquier tecnología ROM regrabable, con velocidades de hasta 10 GB / s, esto ha sido posible gracias al aumento de la inversión en unidades de estado sólido y productos de memoria flash para empresas y consumidores para dispositivos móviles de gama alta. A nivel técnico, las ganancias se han logrado aumentando el paralelismo tanto en el diseño del controlador como en el almacenamiento, el uso de grandes cachés de lectura / escritura DRAM y la implementación de celdas de memoria que pueden almacenar más de un bit (DLC, TLC y MLC). El último enfoque es más propenso a fallas, pero esto se ha mitigado en gran medida mediante el aprovisionamiento excesivo (la inclusión de capacidad de reserva en un producto que solo es visible para el controlador de la unidad) y mediante algoritmos de lectura / escritura cada vez más sofisticados en el firmware de la unidad.
Resistencia y retención de datos [ editar ]
Debido a que se escriben al forzar electrones a través de una capa de aislamiento eléctrico hacia una puerta de transistor flotante , las ROM regrabables pueden soportar solo un número limitado de ciclos de escritura y borrado antes de que el aislamiento se dañe permanentemente. En las primeras EPROM, esto podría ocurrir después de tan solo 1,000 ciclos de escritura, mientras que en las EEPROM Flash modernas, la resistencia puede exceder los 1,000,000. La resistencia limitada, así como el mayor costo por bit, significa que es poco probable que el almacenamiento basado en Flash sustituya por completo a las unidades de disco magnético en un futuro próximo. [ cita requerida ]
El período de tiempo durante el cual una ROM permanece legible con precisión no está limitado por el ciclo de escritura. La retención de datos de EPROM, EAROM, EEPROM y Flash puede tener un límite de tiempo debido a la fuga de carga de las puertas flotantes de los transistores de la celda de memoria. Las EEPROM de primera generación, a mediados de la década de 1980, generalmente citaban una retención de datos de 5 o 6 años. Una revisión de las EEPROM ofrecidas en el año 2020 muestra que los fabricantes citan una retención de datos de 100 años. Los entornos adversos reducirán el tiempo de retención (las fugas se aceleran por las altas temperaturas o la radiación ). La ROM enmascarada y la PROM de fusibles / antifusibles no sufren este efecto, ya que su retención de datos depende de la permanencia física más que eléctrica del circuito integrado, aunque el crecimiento de fusibles fue una vez un problema en algunos sistemas. [14]
Imágenes de contenido [ editar ]
El contenido de los chips ROM se puede extraer con dispositivos de hardware especiales y software de control relevante. Esta práctica es común, como ejemplo principal, para leer el contenido de cartuchos de consolas de videojuegos más antiguos . Otro ejemplo es la realización de copias de seguridad de las ROM de firmware / sistema operativo de computadoras antiguas u otros dispositivos, con fines de archivo, ya que en muchos casos, los chips originales son PROM y, por lo tanto, corren el riesgo de exceder la vida útil de los datos.
Los archivos de volcado de memoria resultantes se conocen como imágenes ROM o ROM abreviadas y se pueden utilizar para producir ROM duplicadas, por ejemplo, para producir nuevos cartuchos o como archivos digitales para reproducir en emuladores de consola . El término imagen ROM se originó cuando la mayoría de los juegos de consola se distribuían en cartuchos que contenían chips ROM, pero logró un uso tan generalizado que todavía se aplica a imágenes de juegos más nuevos distribuidos en CD-ROM u otros medios ópticos.
Las imágenes ROM de juegos comerciales, firmware, etc. generalmente contienen software con derechos de autor. La copia y distribución no autorizadas de software con derechos de autor es una violación de las leyes de derechos de autor en muchas jurisdicciones, aunque la duplicación con fines de copia de seguridad puede considerarse uso justo según la ubicación. En cualquier caso, existe una comunidad próspera que se dedica a la distribución y comercialización de dicho software y software abandonado con fines de conservación / intercambio.
Línea de tiempo [ editar ]
| Fecha de introducción | Nombre del chip | Capacidad ( bits ) | Tipo de ROM | MOSFET | Fabricante (s) | Proceso | Área | Árbitro |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1956 | ? | ? | PASEO | ? | Arma | ? | ? | [2] [3] |
| 1965 | ? | 256 bits | ROM | TTL bipolar | Sylvania | ? | ? | [15] |
| 1965 | ? | 1 kb | ROM | MOS | Microelectrónica general | ? | ? | |
| 1969 | 3301 | 1 kb | ROM | Bipolar | Intel | ? | ? | [15] |
| 1970 | ? | 512 bits | PASEO | TTL bipolar | Radiación | ? | ? | [6] |
| 1971 | 1702 | 2 KB | EPROM | MOS estático ( puerta de silicio ) | Intel | ? | 15 mm² | [6] [16] |
| 1974 | ? | 4 KB | ROM | MOS | AMD , instrumento general | ? | ? | [15] |
| 1974 | ? | ? | EAROM | MNOS | Instrumento general | ? | ? | [6] |
| 1975 | 2708 | 8 KB | EPROM | NMOS ( FGMOS ) | Intel | ? | ? | [17] [18] |
| 1976 | ? | 2 KB | EEPROM | MOS | Toshiba | ? | ? | [19] |
| 1977 | µCOM-43 (PMOS) | 16 KB | PASEO | PMOS | Comité ejecutivo nacional | ? | ? | [20] |
| 1977 | 2716 | 16 KB | EPROM | TTL | Intel | ? | ? | [21] [22] |
| 1978 | EA8316F | 16 KB | ROM | NMOS | Matrices electrónicas | ? | 436 mm² | [15] [23] |
| 1978 | µCOM-43 (CMOS) | 16 KB | PASEO | CMOS | Comité ejecutivo nacional | ? | ? | [20] |
| 1978 | 2732 | 32 KB | EPROM | NMOS ( HMOS ) | Intel | ? | ? | [17] [24] |
| 1978 | 2364 | 64 KB | ROM | NMOS | Intel | ? | ? | [25] |
| 1980 | ? | 16 KB | EEPROM | NMOS | Motorola | 4000 millas náuticas | ? | [17] [26] |
| 1981 | 2764 | 64 KB | EPROM | NMOS ( HMOS II ) | Intel | 3500 millas náuticas | ? | [17] [26] [27] |
| mil novecientos ochenta y dos | ? | 32 KB | EEPROM | MOS | Motorola | ? | ? | [26] |
| mil novecientos ochenta y dos | 27128 | 128 KB | EPROM | NMOS (HMOS II) | Intel | ? | ? | [17] [26] [28] |
| 1983 | ? | 64 KB | EPROM | CMOS | Signetics | 3.000 millas náuticas | ? | [26] |
| 1983 | 27256 | 256 KB | EPROM | NMOS (HMOS) | Intel | ? | ? | [17] [29] |
| 1983 | ? | 256 KB | EPROM | CMOS | Fujitsu | ? | ? | [30] |
| Enero de 1984 | MBM 2764 | 64 KB | EEPROM | NMOS | Fujitsu | ? | 528 mm² | [31] |
| 1984 | ? | 512 KB | EPROM | NMOS | AMD | 1.700 millas náuticas | ? | [26] |
| 1984 | 27512 | 512 KB | EPROM | NMOS (HMOS) | Intel | ? | ? | [17] [32] |
| 1984 | ? | 1 Mb | EPROM | CMOS | Comité ejecutivo nacional | 1200 nm | ? | [26] |
| 1987 | ? | 4 Mb | EPROM | CMOS | Toshiba | 800 nm | ? | [26] |
| 1990 | ? | 16 Mb | EPROM | CMOS | Comité ejecutivo nacional | 600 nm | ? | [26] |
| 1993 | ? | 8 Mb | MROM | CMOS | Hyundai | ? | ? | [33] |
| 1995 | ? | 1 Mb | EEPROM | CMOS | Hitachi | ? | ? | [34] |
| 1995 | ? | 16 Mb | MROM | CMOS | AKM , Hitachi | ? | ? | [34] |
Ver también [ editar ]
- Memoria flash
- Memoria de acceso aleatorio
- Memoria de lectura mayoritaria (RMM)
- Memoria de solo escritura
Notas [ editar ]
- ^ Alguna ROM de componentes discretos podría alterarse mecánicamente, por ejemplo, agregando y quitando transformadores. Sin embargo, los IC ROM no se pueden cambiar mecánicamente.
Referencias [ editar ]
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