Archivo: IvsV IGBT.png

Resumen

DescripciónIvsV IGBT.png	Característica estática de un transistor bipolar de puerta aislada imaginario (IGBT)
Fecha	28 de junio de 2006
Fuente	trabajo propio, basado libremente en el modelo de "Dispositivos semiconductores de potencia" de BJ Baliga, ISBN 0-534-94098-6
Autor	Cyril BUTTAY
Permiso ( reutilizando este archivo )	como licenciado

Licencia

Yo, el titular de los derechos de autor de este trabajo, lo publico bajo las siguientes licencias:

Se concede permiso para copiar, distribuir y / o modificar este documento bajo los términos de la Licencia de documentación libre GNU , Versión 1.2 o cualquier versión posterior publicada por la Free Software Foundation ; sin Secciones Invariantes, sin Textos de Portada y sin Textos de Contraportada. Se incluye una copia de la licencia en la sección titulada Licencia de documentación libre GNU .http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLLicencia de documentación libre GNUciertocierto

	Este archivo tiene la licencia Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unported .
	Estas libre: compartir - copiar, distribuir y transmitir el trabajo remezclar - adaptar el trabajo Bajo las siguientes condiciones: atribución : debe otorgar el crédito correspondiente, proporcionar un enlace a la licencia e indicar si se realizaron cambios. Puede hacerlo de cualquier manera razonable, pero no de ninguna manera que sugiera que el licenciante lo respalda a usted o su uso. compartir por igual : si remezcla, transforma o construye sobre el material, debe distribuir sus contribuciones bajo la misma licencia o una licencia compatible que la original.
	Esta etiqueta de licencia se agregó a este archivo como parte de la actualización de licencia GFDL .http://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/CC-BY-SA-3.0Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0ciertocierto

	Este archivo tiene la licencia Creative Commons Attribution-Share Alike 2.5 Generic , 2.0 Generic y 1.0 Generic .
	Estas libre: compartir - copiar, distribuir y transmitir el trabajo remezclar - adaptar el trabajo Bajo las siguientes condiciones: atribución : debe otorgar el crédito correspondiente, proporcionar un enlace a la licencia e indicar si se realizaron cambios. Puede hacerlo de cualquier manera razonable, pero no de ninguna manera que sugiera que el licenciante lo respalda a usted o su uso. compartir por igual : si remezcla, transforma o construye sobre el material, debe distribuir sus contribuciones bajo la misma licencia o una licencia compatible que la original. https://creativecommons.org/licenses/by-sa/2.5CC BY-SA 2.5 Creative Commons Reconocimiento-Compartir por igual 2.5 ciertocierto

Puede seleccionar la licencia de su elección.

 Esta trama fue creada con Gnuplot :

Código de Gnuplot

# Este archivo se utiliza para trazar el conjunto de curvas I (V) de un MOSFET# configuración gráfica establecer  terminal  postscript  eps  mejorado  "Times-Roman"  24  establecer  codificación  iso_8859_15 desarmar  título establecer  estilo de línea  1 lt 10 lw 3 pt 0 ps 0 establecer estilo de línea 2 lt 3 lw 3 pt 0 ps 0 establecer borde 15 lt 10 lw 4 conjunto mxtics establecidos mytics conjunto de cuadrícula                                xtics  ytics set  xlabel  " Voltaje colector-emisor [V]" set  ylabel  "Corriente de colector [unidad arbitraria]" set  format  y  '% 0.0f' set  format  x  "% 0.0f" # etiquetas mostradas en la etiqueta del conjunto de  gráficos 3 'V {_ {GE  

-V {_ {th}} = 7 V 'en 9.8,47 a la derecha

coloque la etiqueta 4 '6 V' en 9.8,37.5 derecha coloque la etiqueta 5 '5 V' en 9.8,26.5 derecha coloque la etiqueta 6 '4 V' en 9.8,17.4 derecha coloque la etiqueta 7 '3 V' en 9.8,10.5 derecha coloque la etiqueta 8 '2 V' en 9.8,5.5 derecha coloque la etiqueta 9 '1 V' en 9.8,2.5 derecha

1. El modelo es básicamente el de un mosfet, con un diodo en serie
2. Drene la corriente en la región lineal

lineal (vds, vgsvth) = 2 * vgsvth * vds-vds ** 2

1. Drene la corriente en la región de saturación

saturación (vds, vgsvth) = vgsvth ** 2

1. Corriente de drenaje

draincurrent (vds, vgsvth) = (vds> vgsvth? saturación (vds, vgsvth): linear (vds, vgsvth))

1. límite entre saturación y regiones lineales

límite (vds) = vds ** 2

1. voltaje directo del diodo:

Vf (t, vgsvth) = 2 * 0.026 * log (draincurrent (t, vgsvth) / 10e-8)

establecer salida "IvsV_IGBT.eps" establecer conjunto paramétrico muestra 2000

1. esto es totalmente no físico: calculamos la corriente en el drenaje del mosfet,
2. luego use este valor para calcular la caída de voltaje en el diodo, y luego grafique Vf + voltaje
3. en el eje xy la corriente en el eje y. Luego, divido el voltaje en el MOSFET
4. por un factor arbitrario (4) para obtener una curva más pronunciada.

plot [0:40] [0:10] [0:50] Vf (t, 1) + t / 4, draincurrent (t, 1) ls 1 título , \

Vf (t, 2) + t / 4, draincurrent (t, 2) ls 1 título , \	Vf (t, 3) + t / 4, draincurrent (t, 3) ls 1 título , \

Vf (t, 4) + t / 4, draincurrent (t, 4) ls 1 título , \

Vf (t, 5) + t / 4, draincurrent (t, 5) ls 1 título , \	Vf (t, 6) + t / 4, draincurrent (t, 6) ls 1 título , \	Vf (t, 7) + t / 4, draincurrent (t, 7) ls 1 título

}}

Subtítulos

inglés

Agregue una explicación de una línea de lo que representa este archivo

Elementos representados en este archivo

representa

estado de copyright

protegido por derechos de autor

licencia de copyright

Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 Unported

Creative Commons Attribution-ShareAlike 1.0 Genérico

Creative Commons Attribution-ShareAlike 2.0 Genérico

GNU Free Documentation License, version 1.2 or later

Creative Commons Attribution-ShareAlike 2.5 Generic

inception

28 June 2006