El grabado avanzado de silicio ( ASE ) es una técnica de grabado profundo de iones reactivos (DRIE) para grabar rápidamente estructuras profundas y de alta relación de aspecto en silicio. ASE fue iniciado por Surface Technology Systems Plc. (STS) en 1994 en el Reino Unido. STS ha continuado desarrollando este proceso con tasas de grabado aún mayores mientras mantiene la rugosidad y la selectividad de la pared lateral. STS desarrolló el proceso conmutado inventado originalmente por el Dr. Larmer en Bosch, Stuttgart. ASE consiste en combinar las rápidas velocidades de grabado logradas en un grabado isotrópico de Si (usualmente haciendo uso de un plasma SF 6 ) con un proceso de deposición o pasivación (usualmente utilizando un C 4 F 8proceso de condensación de plasma) alternando los dos pasos del proceso. Este enfoque logra las tasas de grabado más rápidas mientras mantiene la capacidad de grabar anisotrópicamente , típicamente verticalmente en aplicaciones de sistemas microelectromecánicos ( sistemas microelectromecánicos (MEMS)).
El ASE HRM es una evolución de las generaciones anteriores de diseño de ICP, que ahora incorpora una fuente de plasma desacoplada (pendiente de patente). Esta fuente desacoplada genera plasma de muy alta densidad que puede difundirse en una cámara de proceso separada. A través de un diseño cuidadoso de la cámara, se reduce el exceso de iones que son perjudiciales para el control del proceso, dejando una distribución uniforme de radicales libres de flúor a una densidad más alta que la disponible de las fuentes ICP convencionales. La mayor densidad de radicales libres de flúor facilita mayores tasas de grabado, generalmente más de tres veces las tasas de grabado logradas con el proceso original de Bosch. Además, como resultado de la reducción del efecto del agotamiento localizado de estas especies, se puede lograr una uniformidad mejorada para muchas aplicaciones. [1]