En el caso de dopar silicio con boro para crear un material semiconductor tipo P , se coloca una fina oblea de silicio en una cámara de contención y se sumerge en gas boro. Se dirige un láser pulsado a la oblea de silicio y esto da como resultado la fusión localizada y la posterior recristalización del material de la oblea de silicio, lo que permite que los átomos de boro del gas se difundan en las secciones fundidas de la oblea de silicio. [1] El resultado final de este proceso es una oblea de silicio con impurezas de boro, creando un semiconductor tipo P.