Dr. HAROLD M. MANASEVIT (1927-2008) fue un americano científico de materiales .
Manasevit recibió una licenciatura en química de la Universidad de Ohio en 1950, una maestría en química de la Universidad Estatal de Pensilvania en 1951 y un doctorado. en Química Física Inorgánica del Instituto de Tecnología de Illinois en 1959. Luego se unió a la US Borax Research Corp. en Anaheim, California , pero en 1960 se fue a la North American Aviation Company . En 1983 se incorporó a TRW como científico sénior.
La carrera de Manasevit se ha centrado en la deposición química de vapor (CVD) de materiales. En 1963 fue el primero en documentar el crecimiento epitaxial de silicio sobre zafiro , y en 1968 fue el primero en publicar sobre la deposición de vapor químico metalorgánico (MOCVD) para el crecimiento epitaxial de GaAs y muchos otros III-V, II-VI y IV- VI semiconductores, incluido el primer informe del crecimiento de GaN monocristalino y AlN en zafiro (0001), [1] el proceso utilizado en todo el mundo hoy en día para la producción comercial de todos los LED visibles. Ha desarrollado numerosas técnicas de CVD para grabar aislantes y para producir películas semiconductoras y superconductoras en aislantes.
Manesevit posee 16 patentes y recibió el premio IEEE Morris N. Liebmann Memorial de 1985 "por su trabajo pionero en deposición de vapor químico metalorgánico, diseño de reactores de cristal epitaxial y demostración de dispositivos semiconductores de calidad superior desarrollados mediante este proceso".
Declarado por Russell D. Dupuis, "A mediados de la década de 1970, Rockwell International Electronics Operations (Anaheim CA) estaba desarrollando los sistemas de guía para los misiles Minuteman. Era necesario diseñar un sistema con circuitos endurecidos por radiación para que los misiles pudieran atravesar estos nubes de bombas nucleares. Una característica clave de estos circuitos fue la necesidad de estabilidad en la conductividad del sustrato. El silicio fue la tecnología elegida, pero sufrió cuando se expuso a grandes cantidades de radiación. Mi colega, Harold Manasevit, tuvo la idea de crecer silicio sobre un sustrato de zafiro, que era un aislante de la radiación e infinitamente estable. Así que desarrolló una tecnología llamada silicio sobre zafiro, o SOS, que se utilizó en los misiles Minuteman. También desarrolló un proceso análogo para el crecimiento de arseniuro de galio en zafiro." [2] --- BN
Referencias
- Robert S. Feigelson (ed.), 50 Years Progress in Crystal Growth: A Reprint Collection, Elsevier, 2004, página xxviii. ISBN 0-444-51650-6 .
- Entrada del repositorio MIND del Smithsonian
1 Número de identificación del material: J010-1971-011; HM Manasevit y col., J. Electrochem. Soc. Vol. 118, núm. 11, págs. 1864-1867 (1971). 2 [1]