Método Lely
El método Lely , también conocido como proceso Lely o técnica Lely , es una tecnología de crecimiento de cristales utilizada para producir cristales de carburo de silicio para la industria de semiconductores . La patente de este método fue presentada en los Países Bajos en 1954 y en los Estados Unidos en 1955 por Jan Anthony Lely de Philips Electronics . [1] La patente se concedió posteriormente el 30 de septiembre de 1958 y fue perfeccionada por DR Hamilton et al. en 1960, y por VP Novikov y VI Ionov en 1968. [2]
Visión general
El método Lely produce cristales de carburo de silicio a granel mediante el proceso de sublimación . El polvo de carburo de silicio se carga en un crisol de grafito , que se purga con gas argón y se calienta a aproximadamente 2.500 ° C (4.530 ° F). El carburo de silicio cerca de las paredes exteriores del crisol se sublima y se deposita sobre una varilla de grafito cerca del centro del crisol, que se encuentra a una temperatura más baja. [2]
Existen varias versiones modificadas del proceso Lely, más comúnmente el carburo de silicio se calienta desde el extremo inferior en lugar de las paredes del crisol y se deposita en la tapa. Otras modificaciones incluyen variar la temperatura, el gradiente de temperatura , la presión de argón y la geometría del sistema. Por lo general, se usa un horno de inducción para alcanzar las temperaturas requeridas de 1.800–2.600 ° C (3.270–4.710 ° F). [2] : 195
Ver también
Referencias
- ^ US2854364 (A) , Lely, Jan Anthony, "Proceso de sublimación para la fabricación de cristales de carburo de silicio", publicado el 7 de marzo de 1955, publicado el 30 de septiembre de 1958
- ^ a b c Byrappa, Kullaiah; Ohachi, Tadashi (2003). Tecnología de crecimiento cristalino . Springer Science & Business Media. ISBN 9783540003670. Consultado el 10 de septiembre de 2018 .
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