El fosfuro de arseniuro de galio e indio ( Ga x In 1 − x As y P 1 − y ) es un material semiconductor compuesto cuaternario , una aleación de arseniuro de galio , fosfuro de galio , arseniuro de indio o fosfuro de indio . Este compuesto tiene aplicaciones en dispositivos fotónicos, debido a la capacidad de adaptar su intervalo de banda a través de cambios en la aleación de relaciones molares, x y y .
Los circuitos integrados fotónicos basados en fosfuro de indio , o PIC, comúnmente usan aleaciones de Ga x In 1 − x As y P 1 − y para construir pozos cuánticos , guías de onda y otras estructuras fotónicas, enrejados combinados con un sustrato de InP, lo que permite el epitaxial monocristalino. crecimiento en InP.
Muchos dispositivos que operan en la ventana de longitud de onda de 1,55 μm del infrarrojo cercano utilizan esta aleación y se emplean como componentes ópticos (como transmisores láser , fotodetectores y moduladores) en sistemas de comunicaciones de banda C [ cita requerida ] .
El Instituto Fraunhofer de Sistemas de Energía Solar ISE informó una celda solar de triple unión que utiliza Ga
0,93En
0,07Como
0,87PAG
0,13. La celda tiene una eficiencia muy alta del 35,9% (se dice que es un récord). [1] [2]
Ver también
- Fosfuro de galio indio
- Fosfuro de arseniuro de galio y aluminio
- Fosfuro de antimonuro de arseniuro de galio indio
- Eficiencia de la celda solar
Referencias
- ^ "Fraunhofer ISE alcanza una eficiencia del 35,9% para la célula solar de triple unión III-V basada en silicio". pv magazine group GmbH & Co. KG. 23 de abril de 2021. Cite journal requiere
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( ayuda ) - ^ "La energía fotovoltaica en tándem permite nuevas alturas en la eficiencia de las células solares - 35,9% para III-V // Célula solar de silicio" . Instituto Fraunhofer de Sistemas de Energía Solar ISE. 23 de abril de 2021.