Isamu Akasaki (赤 崎 勇, Akasaki Isamu , 30 de enero de 1929 - 1 de abril de 2021) fue un ingeniero y físico japonés, especializado en el campo de la tecnología de semiconductores y premio Nobel, mejor conocido por inventar el brillante nitruro de galio ( GaN ) pn. LED azul de unión en 1989 y, posteriormente, el LED azul GaN de alto brillo también. [1] [2] [3] [4] [5]
Isamu Akasaki | |
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赤 崎 勇 | |
Nació | |
Fallecido | 1 de abril de 2021 | (92 años)
Nacionalidad | japonés |
alma mater | Universidad de Kioto Universidad de Nagoya |
Premios | Premio Asahi (2001) Premio Takeda (2002) Premio Kyoto (2009) Medalla IEEE Edison (2011) Premio Nobel de Física (2014) Premio Charles Stark Draper (2015) |
Carrera científica | |
Campos | Física , Ingeniería |
Instituciones | Universidad Meijo Universidad de Nagoya |
Por este y otros logros, Akasaki fue galardonado con el Premio Kyoto en Tecnología Avanzada en 2009, [6] y la Medalla IEEE Edison en 2011. [7] También fue galardonado con el Premio Nobel de Física 2014, junto con Hiroshi Amano y Shuji Nakamura. , [8] "por la invención de diodos emisores de luz azul eficientes, que ha permitido fuentes de luz blanca brillantes y que ahorran energía". En 2021, Akasaki, junto con Shuji Nakamura , Nick Holonyak , M. George Craford y Russell D. Dupuis recibieron el Premio Queen Elizabeth de Ingeniería "por la creación y desarrollo de iluminación LED, que constituye la base de toda la tecnología de iluminación de estado sólido. ". [9]
Temprana edad y educación
Nacido en la prefectura de Kagoshima , Akasaki se graduó de la Universidad de Kyoto en 1952 y obtuvo el título de Dr.Eng. Licenciado en Electrónica de la Universidad de Nagoya en 1964. Durante sus años universitarios, visitó santuarios y templos que los residentes locales rara vez visitan, caminó por las montañas de Shinshu durante las vacaciones de verano, disfrutó de clases y disfrutó de una era estudiantil satisfactoria. [10]
Investigar
Akasaki comenzó a trabajar en LED azules basados en GaN a fines de la década de 1960. Paso a paso, mejoró la calidad de los cristales de GaN y las estructuras del dispositivo [11] en Matsushita Research Institute Tokyo, Inc. (MRIT), donde decidió adoptar la epitaxia en fase vapor metalorgánica (MOVPE) como el método de crecimiento preferido para GaN.
En 1981, comenzó de nuevo el crecimiento de GaN por MOVPE en la Universidad de Nagoya, y en 1985 él y su grupo lograron cultivar GaN de alta calidad en sustrato de zafiro al ser pioneros en la tecnología de capa tampón de baja temperatura (LT). [12] [13]
Este GaN de alta calidad les permitió descubrir el GaN de tipo p dopando con magnesio (Mg) y posterior activación por irradiación de electrones (1989), para producir el primer LED azul / UV de unión pn de GaN (1989) y lograr el control de la conductividad. de GaN de tipo n (1990) [14] y aleaciones relacionadas (1991) [15] mediante dopaje con silicio (Si), lo que permite el uso de heteroestructuras y múltiples pozos cuánticos en el diseño y estructura de una unión pn emisora de luz más eficiente estructuras.
Lograron la emisión estimulada de GaN primero a temperatura ambiente en 1990, [16] y desarrollaron en 1995 la emisión estimulada a 388 nm con inyección de corriente pulsada desde un dispositivo de pozo cuántico AlGaN / GaN / GaInN de alta calidad. [17] Verificaron el efecto de tamaño cuántico (1991) [18] y el efecto Stark confinado cuántico (1997) [19] en el sistema de nitruro, y en 2000 mostraron teóricamente la dependencia de la orientación del campo piezoeléctrico y la existencia de Cristales de GaN, [20] que han desencadenado los esfuerzos mundiales actuales para hacer crecer esos cristales para su aplicación a emisores de luz más eficientes.
Instituto Akasaki de la Universidad de Nagoya
Las patentes de Akasaki se produjeron a partir de estas invenciones y las patentes se han recompensado como regalías. El Instituto Akasaki de la Universidad de Nagoya [21] abrió el 20 de octubre de 2006. El costo de construcción del instituto se cubrió con los ingresos por regalías de patentes a la universidad, que también se utilizaron para una amplia gama de actividades en la Universidad de Nagoya. El instituto consta de una galería de LED para mostrar la historia de la investigación, los desarrollos y las aplicaciones del LED azul, una oficina para la colaboración en investigación, laboratorios para la investigación innovadora y la oficina de Akasaki en el sexto piso superior. El instituto está situado en el centro de la zona de investigación colaborativa en el campus de Higashiyama de la Universidad de Nagoya.
Historial profesional
Akasaki trabajó como investigador científico de 1952 a 1959 en Kobe Kogyo Corporation (ahora, Fujitsu Ltd. ). [22] En 1959 fue investigador asociado, profesor asistente y profesor asociado en el Departamento de Electrónica de la Universidad de Nagoya hasta 1964. Más tarde, en 1964, fue Jefe del Laboratorio de Investigación Básica en el Instituto de Investigación Matsushita de Tokio, Inc. hasta 1974. para luego convertirse en Gerente General del Departamento de Semiconductores (en el mismo instituto hasta 1981. [ cita requerida ] En 1981 se convirtió en profesor en el Departamento de Electrónica de la Universidad de Nagoya hasta 1992. [22]
De 1987 a 1990 fue líder de proyecto de "Investigación y desarrollo de diodos emisores de luz azul basados en GaN" patrocinado por la Agencia de Ciencia y Tecnología de Japón (JST). Luego dirigió el producto "Investigación y desarrollo de diodo láser semiconductor de longitud de onda corta basado en GaN" patrocinado por JST de 1993 a 1999. Mientras dirigía este proyecto, también fue profesor invitado en el Centro de Investigación de Electrónica Cuántica de Interfaces en Hokkaido. Universidad , de 1995 a 1996. En 1996 fue Líder de Proyecto de la Sociedad Japonesa para la Promoción de la Ciencia para el "Programa Futuro" hasta 2001. A partir de 1996 comenzó como Líder de Proyecto del "Centro de Investigación de Alta Tecnología para el Nitruro Semiconductores "en la Universidad de Meijo , patrocinado por MEXT hasta 2004. Desde 2003 hasta 2006 fue presidente del" Comité Estratégico de I + D sobre dispositivos inalámbricos basados en semiconductores de nitruro "patrocinado por METI.
Continuó trabajando como Profesor Emérito de la Universidad de Nagoya, Profesor de la Universidad de Meijo desde 1992. [22] También fue Director del Centro de Investigación de Semiconductores de Nitruro en la Universidad de Meijo desde 2004. También trabajó como Investigador en el Centro de Investigación Akasaki de la Universidad de Nagoya desde 2001.
Muerte
Akasaki murió de neumonía el 1 de abril de 2021 a los 92 años [23].
Honores y premios
Científico y académico
- 1989 - Premio de la Asociación Japonesa para el Crecimiento del Cristal (JACG)
- 1991 - Premio de Cultura Chu-Nichi [24]
- 1994 - Premio a la Contribución Tecnológica, Asociación Japonesa para el Crecimiento del Cristal en conmemoración de su 20 aniversario
- 1995 - Medalla de oro Heinrich Welker, Simposio internacional sobre semiconductores compuestos
- 1996 - Premio al Logro de Ingeniería, Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos / Sociedad de Electro-Óptica de Láseres
- 1998 - Premio Inoue Harushige, Agencia de Ciencia y Tecnología de Japón
- 1998 - Premio C&C , Nippon Electric Company Corporation [25]
- 1998 - Premio Laudise, Organización Internacional para el Crecimiento de los Cristales [26]
- 1998 - Premio Jack A. Morton, Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos [27]
- 1998 - Premio Rank, Fundación Premio Rank [28]
- 1999 - Miembro del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos [29]
- 1999 - Medalla Gordon E. Moore por logros sobresalientes en ciencia y tecnología del estado sólido , Sociedad Electroquímica [30]
- 1999 - Doctorado Honoris Causa, Universidad de Montpellier II
- 1999 - Premio Toray de Ciencia y Tecnología, Toray Science Foundation [31]
- 2001 - Premio Asahi , Fundación Cultural Asahi Shinbun [32]
- 2001 - Doctorado Honoris Causa, Linkoping University
- 2002 - Premio al Logro Destacado, Sociedad Japonesa de Física Aplicada
- 2002 - Premio Fujihara , Fundación Fujihara de la Ciencia [33]
- 2002 - Premio Takeda , la Fundación Takeda [34]
- 2003 - Premio del Presidente, Consejo Científico de Japón (SCJ) [35]
- 2003 - Premio a los dispositivos y materiales de estado sólido (SSDM)
- 2004 - Premio de Cultura Tokai TV
- 2004 - Profesor universitario, Universidad de Nagoya
- 2006 - Premio John Bardeen , Sociedad de Minerales, Metales y Materiales [36]
- 2006 - Premio al logro excepcional, Asociación japonesa para el crecimiento de cristales
- 2007 - Premio Honorable a la Trayectoria, 162 ° Comité de Investigación sobre Dispositivos Electrónicos y Fotónicos Semiconductores de Banda Ancha, Sociedad Japonesa para la Promoción de la Ciencia (JSPS)
- 2008 - Asociado extranjero, Academia Nacional de Ingeniería de EE. UU. [37]
- 2009 - Premio de Tecnología Avanzada de Kyoto , Fundación Inamori [38]
- 2010 - Profesor de por vida, Universidad de Meijo
- 2011 - Medalla Edison , Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos [7]
- 2011 - Premio especial a las actividades de propiedad intelectual, Organismo de Ciencia y Tecnología del Japón [39]
- 2011 - Premio de Cultura Minami-Nippon-Premio de Honor
- 2014 - Premio Nobel de Física junto con Hiroshi Amano y Shuji Nakamura [8]
- 2015 - Premio Charles Stark Draper [22]
- 2015 - Premio al Cambiador de Juego de Asia [40]
- 2016 - Ceremonia de la Medalla de la UNESCO por sus contribuciones al desarrollo de la nanociencia y las nanotecnologías [41]
- 2021 - Premio Reina Isabel de Ingeniería
Nacional
- 1997 - Medalla con Cinta Morada, Gobierno Japonés [42]
- 2002 - Orden del Sol Naciente , Rayos dorados con cinta para el cuello, Gobierno japonés [43]
- 2004 - Persona de mérito cultural , el gobierno japonés
- 2011 - Orden de la Cultura , el Emperador de Japón [44] [45] [46]
Ver también
- Lista de premios Nobel japoneses
- Lista de premios Nobel afiliados a la Universidad de Kioto
Referencias
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Otras lecturas
- Insights & Enterprise in PHOTONICS SPECTRA , 54, noviembre de 2004
- Actas del Simposio de la Sociedad de Investigación de Materiales , Volumen 639 (2000), páginas xxiii - xxv
enlaces externos
- Sitio web del Premio Nobel
- Isamu Akasaki en Nobelprize.org
- Semiconductor compuesto (págs. 17-19) [ enlace muerto permanente ]
- Obituario del New York Times: “El ganador del Nobel iluminó el mundo con LED” (abril de 2021).
- "Foco en Nagoya". Naturaleza . 7 de octubre de 2009. doi : 10.1038 / nj0264 .