El molido inverso de obleas es un paso de fabricación de dispositivos semiconductores durante el cual se reduce el grosor de las obleas para permitir el apilamiento y el empaquetado de alta densidad de circuitos integrados (IC).
Los circuitos integrados se producen en obleas semiconductoras que se someten a una multitud de pasos de procesamiento. Las obleas de silicio que se utilizan predominantemente en la actualidad tienen diámetros de 200 y 300 mm. Tienen un grosor aproximado de 750 μm para garantizar un mínimo de estabilidad mecánica y evitar deformaciones durante los pasos de procesamiento a alta temperatura.
Las tarjetas inteligentes, las memorias USB, los teléfonos inteligentes, los reproductores de música portátiles y otros productos electrónicos ultracompactos no serían factibles en su forma actual sin minimizar el tamaño de sus diversos componentes en todas las dimensiones. Por tanto, la parte trasera de las obleas se muele antes de cortarlas en cubitos (separación de los microchips individuales). Las obleas adelgazadas de 75 a 50 μm son habituales en la actualidad. [1]
Antes de triturar, las obleas se laminan comúnmente con cinta de esmerilado curable con UV, que asegura que no se dañe la superficie de la oblea durante el pulido y previene la contaminación de la superficie de la oblea causada por la infiltración de fluido de trituración y / o residuos. [2] Las obleas también se lavan con agua desionizada durante todo el proceso, lo que ayuda a prevenir la contaminación. [3]