El premio Medard W. Welch se otorga a los científicos que demostraron una investigación destacada en los campos pertinentes a la American Vacuum Society . Se estableció en 1969 en memoria de Medard W. Welch , fundador de la American Vacuum Society. [1]
Lista de destinatarios
Año | Recipiente | Citación |
---|---|---|
2020 | Mark Hersam | "por contribuciones pioneras a la síntesis, ciencia de superficies, funcionalización química y aplicación de materiales nanoelectrónicos de baja dimensión" |
2019 | Scott A. Chambers | “Por contribuciones pioneras para comprender el origen y la influencia de las heterogeneidades, los defectos y el desorden en las películas y las heteroestructuras epitaxiales de óxido complejas” |
2018 | David Castner | "Por los principales avances en métodos de análisis de superficies rigurosos y de vanguardia aplicados a muestras orgánicas y biológicas" |
2017 | Hans-Peter Steinrück | "Por sus estudios pioneros sobre las propiedades y reactividad de las superficies de líquidos iónicos empleando los métodos de la ciencia de superficies" |
2016 | Maki Kawai | "Para dilucidar el papel de la dinámica vibratoria en reacciones de una sola molécula en las superficies" |
2015 | Charles T. Campbell | "Por contribuciones fundamentales para determinar la energía de adsorción precisa y para desarrollar conceptos clave para el análisis de reacciones catalíticas importantes" |
2014 | Patricia Thiel | "Por contribuciones fundamentales a la comprensión de las superficies cuasicristalinas y la nucleación y el crecimiento de películas delgadas" |
2013 | Chris G. Van de Walle | "Por contribuciones fundamentales a la teoría de las heterouniones y sus aplicaciones a la tecnología de semiconductores, y por dilucidar el papel del hidrógeno en los materiales electrónicos". |
2012 | Yves Chabal | "Por sus estudios excepcionales de las vibraciones en las superficies, especialmente el desarrollo y la aplicación de la espectroscopia infrarroja de superficie para comprender la física y la química del silicio terminado en hidrógeno y la deposición de la capa atómica" |
2011 | Wilson Ho | "Para el desarrollo y la aplicación de la tunelización de electrones inelásticos a escala atómica con el microscopio de tunelización de barrido". |
2010 | Mark J. Kushner | "Por sus contribuciones sobresalientes al modelado y la comprensión física de los plasmas, especialmente los que se utilizan en el grabado de películas delgadas, la deposición y la modificación de superficies". |
2009 | Robert Hamers | "Para estudios de gran alcance de química y fotoquímica en superficies de semiconductores y para establecer conexiones con diversas tecnologías emergentes". |
2008 | Miquel Salmeron | "Por contribuciones fundamentales al desarrollo de técnicas de caracterización de superficies utilizables en una variedad de entornos y su aplicación a la catálisis, tribología y fenómenos de superficie relacionados". |
2007 | Jerry Tersoff | “Por contribuciones teóricas fundamentales para la comprensión de superficies, interfaces, películas delgadas y nanoestructuras de materiales electrónicos”. |
2006 | John C. Hemminger | "Por sus contribuciones sobresalientes al desarrollo de la comprensión cuantitativa a nivel molecular de muchos procesos interfaciales importantes, especialmente los relacionados con la química atmosférica". |
2005 | Charles S. Fadley | "Por el desarrollo de técnicas novedosas basadas en espectroscopía fotoelectrónica y radiación sincrotrón, y su aplicación al estudio de la estructura atómica, electrónica y magnética de superficies e interfaces enterradas". |
2004 | Rudolf M. Tromp | "Por descubrimientos fundamentales en el crecimiento epitaxial y elucidación de sus aplicaciones a problemas tecnológicos". |
2003 | Matthias Scheffler | "Por desarrollar métodos de teoría funcional de la densidad para describir reacciones químicas de superficie y permitir su uso generalizado". |
2002 | Buddy D. Ratner | "Para la investigación innovadora sobre interfaces de biomateriales y el establecimiento del campo de la ciencia de superficie de biomateriales". |
2001 | Ward Plummer | "Para el desarrollo de instrumentación novedosa, su uso para iluminar nuevos conceptos en la física de superficies de los metales y la tutoría de científicos jóvenes prometedores". |
2000 | D. Phillip Woodruff | "Por contribuciones a la comprensión de las propiedades geométricas de superficies limpias y decoradas por adsorción, y por el desarrollo innovador de técnicas científicas de superficies". |
1999 | John H. Weaver | "Por sus contribuciones fundamentales a la comprensión a nivel atómico del crecimiento de películas delgadas, las interacciones interfaciales y el grabado". |
1998 | David E. Aspnes | "Para aplicaciones novedosas y el desarrollo creativo de métodos y efectos ópticos para la investigación de películas delgadas, superficies e interfaces que han avanzado significativamente en la comprensión de los materiales y procesos electrónicos". |
1997 | Phaedon Avouris | "Por sus contribuciones fundamentales a la comprensión de la química de las superficies semiconductoras y por su desarrollo del STM como una herramienta para sondear e inducir reacciones químicas superficiales con resolución y control a escala atómica". |
1996 | Peter Feibelman | "Por sus profundas predicaciones y explicaciones de los fenómenos superficiales basadas en cálculos de primeros principios. |
1995 | Gerhard Ertl | "Por la excelencia en el uso de métodos modernos para desarrollar conceptos clave importantes para la química de superficies". |
1994 | John T. Yates , Jr. | "Por el desarrollo y uso de métodos de medición modernos para proporcionar información sobre el comportamiento de especies quimisorbidas en superficies metálicas y semiconductoras". |
1993 | George Comsa | "Para descubrimientos e investigaciones seminales en la ciencia del vacío y la superficie, en particular el desarrollo extenso de la dispersión de átomos de energía térmica para el análisis estructural de superficies". |
1992 | Ernst G. Bauer | "Por sus contribuciones a la comprensión fundamental de la nucleación y el crecimiento de películas delgadas y por su invención, desarrollo y uso de múltiples técnicas de caracterización de superficies para estudiar esas películas delgadas". |
1991 | Max G. Lagalmente | "Por sus contribuciones sobresalientes a la comprensión cuantitativa de los defectos con respecto al ordenamiento y crecimiento de las estructuras de la superficie". |
1990 | Jerry M. Woodall | "Por contribuciones fundamentales a la ciencia y tecnología de semiconductores compuestos". |
1989 | Robert Gomer | "Por contribuciones pioneras a la ciencia de la superficie, incluidos estudios definitivos sobre la teoría y aplicación de los fenómenos de emisión, quimisorción y desorción de campo". |
1988 | Peter Sigmund | "Por contribuciones teóricas al campo de la pulverización catódica física y fenómenos relacionados". |
1987 | Mark J. Cardillo | "Por su investigación innovadora y pionera sobre la interacción de haces moleculares con superficies". |
1986 | Harald Ibach | "Para el desarrollo de espectroscopía de pérdida de energía de electrones de alta resolución y sus aplicaciones a la caracterización de superficies y absorbe". |
1985 | Theodore E. Madey | "Por sus investigaciones de procesos superficiales a nivel atómico y molecular fundamental, especialmente la determinación de geometrías de enlace de moléculas absorbidas". |
1984 | William E. Spicer | "Por sus contribuciones al desarrollo y aplicación de la espectroscopia de fotoelectrones en el estudio de la estructura electrónica y las propiedades químicas de los sólidos y sus superficies e interfaces". |
1983 | HH Wieder | "Por sus contribuciones al crecimiento de películas delgadas de semiconductores monocristalinos y, lo que es más importante, por la investigación que conduce a la tecnología III-V MOS". |
1981 | Harrison E. Farnsworth | "Por sus estudios pioneros sobre la preparación, caracterización estructural y propiedades de superficies atómicamente limpias". |
1979 | Gert Ehrlich | "Por las contribuciones a nuestra comprensión de las leyes de la fuerza microscópica mediante las cuales los átomos que residen en superficies sólidas interactúan con el sustrato y entre sí". |
1978 | Georg H. Hass | "Para técnicas de preparación y caracterización de películas delgadas para recubrimientos ópticos de importancia para la energía solar, tecnología espacial y electroóptica". |
1977 | Charles B. Duke | "Por contribuciones teóricas de gran alcance a la ciencia de superficies y la física del estado sólido en las áreas de difracción de electrones de baja energía, túnel de electrones y la estructura electrónica de grandes moléculas orgánicas". |
1976 | Leslie Holanda | "En reconocimiento a sus importantes contribuciones a la tecnología del vacío y a las ciencias de la superficie y las películas delgadas". |
1975 | Paul A. Pelirrojo | "En reconocimiento a sus distinguidas contribuciones a la ciencia de la medición de baja presión y su investigación de largo alcance sobre las propiedades y el comportamiento de las especies absorbidas". |
1974 | Homer D. Hagstrum | "Por las contribuciones pioneras a los estudios de ultra alto vacío de superficies sólidas, especialmente la incorporación en una sola cámara de vacío de múltiples mediciones experimentales en superficies individuales controladas; el desarrollo de una técnica experimental para medir con alta precisión la distribución de energía de los electrones expulsados de las superficies por el neutralización de iones lentos y la conversión de esta técnica en una espectroscopia de la estructura electrónica de superficies sólidas bien caracterizadas en virtud de su elucidación de la naturaleza del mecanismo físico de este proceso de neutralización ". |
1973 | Lawrence A. Harris | "Por su trabajo pionero en el campo de la espectroscopia electrónica Auger. Harris fue responsable de la publicación clave que reconoce el potencial de la espectroscopia electrónica Auger como una herramienta analítica de superficie que desarrolló y demostró. Su contribución ha tenido un gran impacto en el campo ciencias de la superficie y actividades técnicas relacionadas ". |
1972 - | Kenneth CD Hickman | "Por sus contribuciones en el desarrollo de bombas de condensación y sus fluidos de trabajo y, en particular, por su descubrimiento del principio de autofraccionamiento que ha hecho posibles estas bombas". |
1971 | Gottfried K. Wehner | "Por su trabajo pionero en el campo de la pulverización catódica, que ha influido profundamente en muchos otros científicos e ingenieros". |
1970 | Erwin Wilhelm Müller | "Para trabajos que incluyen el desarrollo de microscopía electrónica de campo e iónica de campo". |