Boule (cristal)

Cristalización

Fundamentos
Cristal · Estructura cristalina · Nucleación
Conceptos
La cristalización · Crystal crecimiento recristalización · cristal semilla Protocrystalline · cristal único
Métodos y tecnología
Método de Boules Bridgman-Stockbarger Proceso de Van Arkel-de Boer Método de Czochralski Epitaxia · Método de flujo Cristalización fraccionada Congelación fraccionada Síntesis hidrotermal Método Kyropoulos Crecimiento de pedestal calentado por láser Micro-pull-down Procesos de conformación en el crecimiento de cristales Crisol de cráneo Método Verneuil Fusión de zonas
v t mi

El silicio monocristalino boule

Una bola es un lingote monocristalino producido por medios sintéticos. ^[1]

Una bola de silicio es el material de partida para la mayoría de los circuitos integrados que se utilizan en la actualidad. En la industria de los semiconductores , las bolas sintéticas pueden fabricarse mediante varios métodos, como la técnica de Bridgman ^[2] y el proceso de Czochralski , que dan como resultado una varilla cilíndrica de material.

En el proceso de Czochralski se requiere un cristal semilla para crear un cristal o lingote más grande. Este cristal semilla se sumerge en el silicio fundido puro y se extrae lentamente. El silicio fundido crece en el cristal semilla de forma cristalina. A medida que se extrae la semilla, el silicio se solidifica y finalmente se produce una gran bola cilíndrica. ^[3]

Una bola de cristal semiconductora normalmente se corta en obleas circulares utilizando una sierra de diamante de orificio interior o una sierra de hilo de diamante , y cada oblea se lape y se pule para proporcionar sustratos adecuados para la fabricación de dispositivos semiconductores en su superficie. ^[4]

El proceso también se utiliza para crear zafiros , que se utilizan para sustratos en la producción de LED azules y blancos , ventanas ópticas en aplicaciones especiales y como cubiertas protectoras para relojes . ^[5]

Referencias

^ Kimoto, Tsunenobu; Cooper, James A. (24 de noviembre de 2014). Fundamentos de la tecnología de carburo de silicio: crecimiento, caracterización . ISBN 9781118313527. Consultado el 1 de marzo de 2017 .
^ Dhanaraj, Govindhan; Byrappa, Kullaiah; Prasad, Vishwanath; Dudley, Michael (2010). Springer Handbook of Crystal Growth . ISBN 9783540747611. Consultado el 25 de febrero de 2017 .
^ Rea, Samuel N. (1978). "Desarrollo continuo del proceso de Czochralski" . Consultado el 1 de marzo de 2017 .
^ BOSE (2013). Tecnología de fabricación de IC . McGraw Hill Education (India) Pvt Ltd. p. 53. ISBN 978-1-259-02958-5.
^ J.-P. Colinge (29 de febrero de 2004). Tecnología de silicio sobre aislante: Materiales según VLSI: Materiales según Vlsi . Springer Science & Business Media. pag. 12. ISBN 978-1-4020-7773-9.

[1] Kimoto, Tsunenobu; Cooper, James A. (24 de noviembre de 2014). Fundamentos de la tecnología de carburo de silicio: crecimiento, caracterización . ISBN 9781118313527. Consultado el 1 de marzo de 2017 .

[2] Dhanaraj, Govindhan; Byrappa, Kullaiah; Prasad, Vishwanath; Dudley, Michael (2010). Springer Handbook of Crystal Growth . ISBN 9783540747611. Consultado el 25 de febrero de 2017 .

[3] Rea, Samuel N. (1978). "Desarrollo continuo del proceso de Czochralski" . Consultado el 1 de marzo de 2017 .

[BOSE2013-4] BOSE (2013). Tecnología de fabricación de IC . McGraw Hill Education (India) Pvt Ltd. p. 53. ISBN 978-1-259-02958-5.

[Colinge2004-5] J.-P. Colinge (29 de febrero de 2004). Tecnología de silicio sobre aislante: Materiales según VLSI: Materiales según Vlsi . Springer Science & Business Media. pag. 12. ISBN 978-1-4020-7773-9.

[1]