El proceso de 90 nm se refiere al nivel de tecnología de proceso de fabricación de MOSFET ( CMOS ) que fue comercializado en el período de tiempo 2003-2005, por compañías líderes de semiconductores como Toshiba , Sony , Samsung , IBM , Intel , Fujitsu , TSMC , Elpida , AMD , Infineon. , Texas Instruments y Micron Technology .
El origen del valor de 90 nm es histórico, ya que refleja una tendencia de escalado del 70% cada 2-3 años. La denominación está determinada formalmente por la Hoja de ruta tecnológica internacional para semiconductores (ITRS).
La longitud de onda de 193 nm fue introducida por muchas (pero no todas) empresas para la litografía de capas críticas, principalmente durante el nodo de 90 nm. Los problemas de rendimiento asociados con esta transición (debido al uso de nuevos fotoprotectores ) se reflejaron en los altos costos asociados con esta transición.
Aún más significativo, el tamaño de la oblea de 300 mm se convirtió en la corriente principal en el nodo de 90 nm. El tamaño de la oblea anterior era de 200 mm de diámetro.
Historia
A 90 nm de silicio MOSFET fue fabricado por el ingeniero iraní Ghavam Shahidi (más tarde IBM director) con DA Antoniadis y HI Smith en MIT en 1988. El dispositivo se fabricó usando litografía de rayos X . [1]
Toshiba, Sony y Samsung desarrollaron un proceso de 90 nm durante 2001-2002, antes de ser introducido en 2002 para la eDRAM de Toshiba y la memoria flash NAND de 2 Gb de Samsung . [2] [3] IBM demostró un proceso CMOS de silicio sobre aislante (SOI) de 90 nm , con el desarrollo liderado por Ghavam Shahidi , en 2002. El mismo año, Intel demostró un proceso de silicio tensado de 90 nm . [4] Fujitsu introdujo comercialmente su proceso de 90 nm en 2003 [5] seguido de TSMC en 2004. [6]
Gurtej Singh Sandhu de Micron Technology inició el desarrollo de películas de alta k de deposición de capas atómicas para dispositivos de memoria DRAM . Esto ayudó a impulsar la implementación rentable de la memoria de semiconductores , comenzando con la DRAM de nodo de 90 nm . [7]
Ejemplo: proceso Elpida 90 nm DDR2 SDRAM
El proceso SDRAM DDR2 de 90 nm de Elpida Memory . [8]
- Uso de tamaño de oblea de 300 mm
- Uso de litografía KrF (248 nm) con corrección óptica de proximidad
- 512 Mbit
- Funcionamiento a 1,8 V
- Derivado de procesos anteriores de 110 nm y 100 nm
Procesadores que utilizan tecnología de proceso de 90 nm
- Sony / Toshiba EE + GS ( PlayStation 2 ) - 2003 [9]
- Procesador celular Sony / Toshiba / IBM - 2005
- IBM PowerPC G5 970FX - 2004
- IBM PowerPC G5 970MP - 2005
- IBM PowerPC G5 970GX - 2005
- Procesador IBM "Waternoose" Xbox 360 - 2005
- Intel Pentium 4 Prescott - 2004-02
- Intel Celeron D Prescott-256-2004-05
- Intel Pentium M Dothan - 2004-05
- Intel Celeron M Dothan -1024-2004-08
- Intel Xeon Nocona, Irwindale, Cranford, Potomac, Paxville - 2004-06
- Intel Pentium D Smithfield - 2005-05
- AMD Athlon 64 Winchester, Venecia, San Diego, Orleans - 2004-10
- AMD Athlon 64 X2 Manchester, Toledo, Windsor - 2005-05
- AMD Sempron Palermo y Manila - 2004-08
- AMD Turion 64 Lancaster y Richmond - 2005-03
- NVIDIA GeForce 8800 GTS (G80) - 2006
- AMD Turion 64 X2 Taylor y Trinidad - 2006-05
- AMD Opteron Venus, Troy y Atenas - 2005-08
- AMD Opteron de doble núcleo Dinamarca, Italia, Egipto, Santa Ana y Santa Rosa
- VIA C7 - 2005-05
- Loongson (ahijado) 2Е STLS2E02 - 2007-04
- Loongson (ahijado) 2F STLS2F02-2008-07
- MCST-4R - 2010-12
- Elbrus-2S + - 2011-11
Ver también
- Fotolitografía
Referencias
- ^ Shahidi, Ghavam G .; Antoniadis, DA; Smith, HI (diciembre de 1988). "Reducción de la corriente de sustrato generado por electrones calientes en MOSFET de Si de longitud de canal por debajo de 100 nm". Transacciones IEEE en dispositivos electrónicos . 35 (12): 2430–. Código Bibliográfico : 1988ITED ... 35.2430S . doi : 10.1109 / 16.8835 .
- ^ "Toshiba y Sony hacen grandes avances en tecnologías de procesos de semiconductores" . Toshiba . 3 de diciembre de 2002 . Consultado el 26 de junio de 2019 .
- ^ "Nuestra orgullosa herencia de 2000 a 2009" . Samsung Semiconductor . Samsung . Consultado el 25 de junio de 2019 .
- ^ "IBM, Intel disputa a 90 nm" . EE Times . 13 de diciembre de 2002 . Consultado el 17 de septiembre de 2019 .
- ^ Tecnología de proceso CMOS de 65 nm
- ^ "Tecnología 90nm" . TSMC . Consultado el 30 de junio de 2019 .
- ^ "Destinatarios del premio IEEE Andrew S. Grove" . Premio IEEE Andrew S. Grove . Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos . Consultado el 4 de julio de 2019 .
- ^ Presentación de Elpida en Via Technology Forum 2005 e Informe anual de Elpida 2005
- ^ "EMOTION Engine® Y GRÁFICOS SYNTHESIZER utilizado en el núcleo DE PLAYSTATION® UNA SOLA CHIP" (PDF) . Sony . 21 de abril de 2003 . Consultado el 26 de junio de 2019 .
enlaces externos
- Revisión de PC World
- Revisión ITworld
- AMD
- Fujitsu [ enlace muerto permanente ]
- Intel
- Versión de agosto de 2002 de Intel
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