La memoria flash es un medio de almacenamiento electrónico no volátil de memoria de computadora que se puede borrar y reprogramar eléctricamente. Los dos tipos principales de memoria flash, flash NOR y flash NAND , reciben el nombre de las puertas lógicas NOR y NAND . Ambos utilizan el mismo diseño de celda, que consta de MOSFET de puerta flotante . Se diferencian a nivel de circuito dependiendo de si el estado de la línea de bits o de las líneas de palabras es alto o bajo: en NAND flash, la relación entre la línea de bits y las líneas de palabras se asemeja a una puerta NAND; en flash NOR, se parece a una puerta NOR.
La memoria flash, un tipo de memoria de puerta flotante , fue inventada en Toshiba en 1980 y se basa en la tecnología EEPROM . Toshiba comenzó a comercializar memorias flash en 1987. [1] Las EPROM debían borrarse por completo antes de poder reescribirlas. Sin embargo, la memoria flash NAND se puede borrar, escribir y leer en bloques (o páginas), que generalmente son mucho más pequeños que el dispositivo completo. La memoria flash NOR permite escribir una sola palabra de máquina (en una ubicación borrada) o leerla de forma independiente. Un dispositivo de memoria flash normalmente consta de uno o más chips de memoria flash (cada uno con muchas celdas de memoria flash), junto con un chipcontrolador de memoria flash independiente.
El tipo NAND se encuentra principalmente en tarjetas de memoria , unidades flash USB , unidades de estado sólido (las producidas desde 2009), teléfonos inteligentes , teléfonos inteligentes y productos similares, para el almacenamiento y transferencia de datos en general. La memoria flash NAND o NOR también se utiliza a menudo para almacenar datos de configuración en productos digitales, una tarea que antes era posible gracias a EEPROM o RAM estática alimentada por batería . Una desventaja clave de la memoria flash es que sólo puede soportar una cantidad relativamente pequeña de ciclos de escritura en un bloque específico. [2]
NOR Flash es conocido por sus capacidades de acceso aleatorio directo, lo que lo hace apto para ejecutar código directamente. Su arquitectura permite el acceso a bytes individuales, lo que facilita velocidades de lectura más rápidas en comparación con NAND Flash. La memoria NAND Flash opera con una arquitectura diferente, basándose en un enfoque de acceso en serie. Esto hace que NAND sea adecuada para el almacenamiento de datos de alta densidad, pero menos eficiente para tareas de acceso aleatorio. NAND Flash se emplea a menudo en escenarios donde el almacenamiento rentable y de alta capacidad es crucial, como en unidades USB, tarjetas de memoria y unidades de estado sólido (SSD).
El principal diferenciador radica en sus casos de uso y estructuras internas. NOR Flash es óptimo para aplicaciones que requieren acceso rápido a bytes individuales, como en sistemas integrados para la ejecución de programas. NAND Flash, por otro lado, brilla en escenarios que exigen almacenamiento rentable y de alta capacidad con acceso secuencial a datos.
La memoria flash [3] se utiliza en computadoras , PDA , reproductores de audio digitales , cámaras digitales , teléfonos móviles , sintetizadores , videojuegos , instrumentación científica , robótica industrial y electrónica médica . La memoria flash tiene un tiempo de acceso de lectura rápido , pero no es tan rápida como la RAM o la ROM estática. En dispositivos portátiles, se prefiere utilizar memoria flash debido a su resistencia a los golpes mecánicos, ya que las unidades mecánicas son más propensas a sufrir daños mecánicos. [4]