Arquitectura de memoria multicanal
En los campos de la electrónica digital y el hardware informático , la arquitectura de memoria multicanal es una tecnología que aumenta la tasa de transferencia de datos entre la memoria DRAM y el controlador de memoria al agregar más canales de comunicación entre ellos. Teóricamente, esto multiplica la tasa de datos exactamente por el número de canales presentes. La memoria de doble canal emplea dos canales. La técnica se remonta a la década de 1960 y se utilizó en IBM System/360 Model 91 y en CDC 6600 . [1]
Los modernos procesadores de escritorio y estaciones de trabajo de gama alta como la serie AMD Ryzen Threadripper y la línea Intel Core i9 Extreme Edition admiten memoria de cuatro canales. Los procesadores de servidor de la serie AMD Epyc y las plataformas Intel Xeon brindan soporte al ancho de banda de la memoria desde el diseño del módulo de cuatro canales hasta el diseño de ocho canales. [2] En marzo de 2010, AMD lanzó los procesadores de la serie Socket G34 y Magny-Cours Opteron 6100 [3] con soporte para memoria de cuatro canales. En 2006, Intel lanzó conjuntos de chips compatibles con memoria de cuatro canales para su plataforma LGA771 [4] y más tarde en 2011 para suplataforma LGA2011 . [5] Se diseñaron conjuntos de chips de microcomputadoras con aún más canales; por ejemplo, el conjunto de chips de AlphaStation 600 (1995) admite memoria de ocho canales, pero la placa posterior de la máquina limita el funcionamiento a cuatro canales. [6]
Los controladores de memoria habilitados para dos canales en una arquitectura de sistema de PC utilizan dos canales de datos de 64 bits. El canal dual no debe confundirse con la velocidad de datos doble (DDR), en la que el intercambio de datos ocurre dos veces por reloj DRAM. Las dos tecnologías son independientes entre sí, y muchas placas base usan ambas al usar memoria DDR en una configuración de dos canales.
La arquitectura de dos canales requiere una placa base compatible con dos canales y dos o más módulos de memoria DDR , DDR2 , DDR3 , DDR4 o DDR5 . Los módulos de memoria se instalan en bancos coincidentes, cada uno de los cuales pertenece a un canal diferente. El manual de la placa base proporcionará una explicación de cómo instalar la memoria para esa unidad en particular. Por lo general, se puede colocar un par de módulos de memoria emparejados en el primer banco de cada canal y un par de módulos de diferente capacidad en el segundo banco. [7]Los módulos clasificados a diferentes velocidades se pueden ejecutar en modo de doble canal, aunque la placa base ejecutará todos los módulos de memoria a la velocidad del módulo más lento. Sin embargo, algunas placas base tienen problemas de compatibilidad con ciertas marcas o modelos de memoria cuando intentan usarlas en modo de doble canal. Por esta razón, generalmente se recomienda utilizar pares idénticos de módulos de memoria, razón por la cual la mayoría de los fabricantes de memoria ahora venden "kits" de DIMM de pares coincidentes. Varios fabricantes de placas base solo admiten configuraciones en las que se utiliza un "par coincidente" de módulos. Un par coincidente debe coincidir en:
La arquitectura de doble canal es una tecnología implementada en las placas base por el fabricante de la placa base y no se aplica a los módulos de memoria. Teóricamente, cualquier par de módulos de memoria combinados se puede usar en una operación de canal único o doble, siempre que la placa base admita esta arquitectura.
Teóricamente, las configuraciones de doble canal duplican el ancho de banda de la memoria en comparación con las configuraciones de un solo canal. Esto no debe confundirse con la memoria de doble velocidad de datos (DDR), que duplica el uso del bus DRAM mediante la transferencia de datos tanto en los flancos ascendentes como descendentes de las señales de reloj del bus de memoria.
