Guillermo Shockley
William Bradford Shockley Jr. (13 de febrero de 1910 - 12 de agosto de 1989) fue un físico e inventor estadounidense. Era el gerente de un grupo de investigación en Bell Labs que incluía a John Bardeen y Walter Brattain . Los tres científicos recibieron conjuntamente el Premio Nobel de Física de 1956 por "sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor ".
En parte como resultado de los intentos de Shockley de comercializar un nuevo diseño de transistor en las décadas de 1950 y 1960, el " Silicon Valley " de California se convirtió en un hervidero de innovación electrónica. En su vida posterior, mientras era profesor de ingeniería eléctrica en la Universidad de Stanford , Shockley se convirtió en un defensor de la eugenesia . [1] [2] Un estudio de 2019 en la revista Intelligence lo encontró como el segundo investigador de inteligencia más controvertido (detrás de Arthur Jensen ) entre las 55 personas cubiertas. [3]
Shockley nació de padres estadounidenses en Londres el 13 de febrero de 1910 y se crió en la ciudad natal de su familia, Palo Alto , California, desde los tres años. [4] Su padre, William Hillman Shockley, era un ingeniero de minas que especulaba con las minas para ganarse la vida y hablaba ocho idiomas. Su madre, May (de soltera Bradford), creció en el oeste de Estados Unidos, se graduó de la Universidad de Stanford y se convirtió en la primera topógrafo de minería adjunto de EE. UU. [5] Shockley fue educado en casa hasta la edad de ocho años, debido a la aversión de sus padres por las escuelas públicas, así como al hábito de Shockley de tener rabietas violentas. [6]Pasó dos años en la Academia Militar de Palo Alto, luego se inscribió brevemente en la Escuela de Entrenamiento de Los Ángeles para estudiar física y luego se graduó de la Escuela Secundaria de Hollywood en 1927. [7] [8]
Shockley obtuvo su licenciatura en ciencias de Caltech en 1932 y un doctorado del MIT en 1936. El título de su tesis doctoral fue Bandas electrónicas en cloruro de sodio , un tema sugerido por su asesor de tesis, John C. Slater . [9] Después de recibir su doctorado, Shockley se unió a un grupo de investigación dirigido por Clinton Davisson en Bell Labs en Nueva Jersey. Los siguientes años fueron productivos para Shockley. Publicó una serie de artículos fundamentales sobre física del estado sólido en Physical Review . En 1938, recibió su primera patente, "Dispositivo de descarga de electrones", sobre multiplicadores de electrones . [10]
Shockley fue uno de los primeros reclutas de Bell Labs por parte de Mervin Kelly , quien se convirtió en director de investigación de la compañía en 1936 y se centró en contratar físicos de estado sólido . Los ejecutivos de Bell Labs habían teorizado que los semiconductores pueden ofrecer alternativas de estado sólido a los tubos de vacío utilizados en todo el sistema telefónico nacional de Bell. Shockley concibió una serie de diseños basados en materiales semiconductores de óxido de cobre, y con Walter Brattain intentó sin éxito crear un prototipo en 1939. [11]
Cuando estalló la Segunda Guerra Mundial , la investigación previa de Shockley se vio interrumpida y se involucró en la investigación de radares en Manhattan ( Nueva York ). En mayo de 1942, se despidió de Bell Labs para convertirse en director de investigación en el Grupo de Operaciones de Guerra Antisubmarina de la Universidad de Columbia . [12] Esto implicó idear métodos para contrarrestar las tácticas de los submarinos con técnicas mejoradas de convoy , optimizar los patrones de carga de profundidad , etc. Este proyecto requería viajes frecuentes al Pentágono y Washington, donde Shockley se reunió con muchos oficiales de alto rango y funcionarios gubernamentales.
