Arseniuro de aluminio
 | |
| Identificadores | |
|---|---|
Modelo 3D ( JSmol ) | |
| ChemSpider | |
| Tarjeta de información ECHA | 100.041.126  |
| Número CE |
|
PubChem CID | |
Tablero CompTox ( EPA ) | |
| |
| |
| Propiedades | |
| Al As | |
| Masa molar | 101,9031 g / mol |
| Apariencia | cristales naranjas |
| Densidad | 3,72 g / cm 3 |
| Punto de fusion | 1.740 ° C (3.160 ° F; 2.010 K) |
| reacciona | |
| Solubilidad | reacciona en etanol |
| Brecha de banda | 2,12 eV (indirecto) [1] |
| Movilidad de electrones | 200 cm 2 / (V · s) (300 K) |
| Conductividad térmica | 0,9 W / (cm · K) (300 K) |
Índice de refracción ( n D ) | 3 (infrarrojos) |
| Estructura | |
| Blenda de zinc | |
| T 2 d - F -4 3m | |
a = 566,0 pm | |
| Tetraédrico | |
| Termoquímica | |
Entropía molar estándar ( S | 60,3 J / mol K |
| -116,3 kJ / mol | |
| Riesgos | |
| NIOSH (límites de exposición a la salud de EE. UU.): | |
PEL (permitido) | [1910.1018] TWA 0.010 mg / m 3 [2] |
REL (recomendado) | Ca C 0,002 mg / m 3 [15 minutos] [2] |
IDLH (peligro inmediato) | Ca [5 mg / m 3 (como As)] [2] |
| Compuestos relacionados | |
Materiales semiconductores relacionados | De aluminio de arseniuro de galio , aluminio arseniuro de indio , antimoniuro de aluminio , arseniuro de boro |
Salvo que se indique lo contrario, los datos se proporcionan para materiales en su estado estándar (a 25 ° C [77 ° F], 100 kPa). | |
 verificar ( ¿qué es ?)  | |
| Referencias de Infobox | |
El arseniuro de aluminio o arseniuro de aluminio ( Al As ) es un material semiconductor con casi la misma constante de celosía que el arseniuro de galio y el arseniuro de galio y aluminio y un intervalo de banda más amplio que el arseniuro de galio. ( Al As ) puede formar una superrejilla con arseniuro de galio ( Ga As ) que da como resultado sus propiedades semiconductoras. [3] Porque ( Ga As ) y ( Al As) tienen casi la misma constante de celosía, las capas tienen muy poca tensión inducida, lo que les permite crecer de forma casi arbitraria. Esto permite una movilidad de electrones de alto rendimiento extremadamente alto, transistores HEMT y otros dispositivos de pozos cuánticos . [4] [ página necesaria ]
Propiedades
Tiene las siguientes propiedades: [5]
- Coeficiente de expansión térmica 5 µm / (° C * m)
- Temperatura de Debye 417 K
- Microdureza 5.0 GPa (50 g de carga)
- Número de átomos en 1 cm 3 : (4,42-0,17x) · 10 22 [6]
- Módulo volumétrico (7.55 + 0.26x) · 10 11 dyn cm −2 [6]
- Dureza en la escala de Mohs : ~ 5 [6]
- Insolubilidad en H 2 O [6]
Usos
El arseniuro de aluminio es un material semiconductor compuesto III-V y es un material ventajoso para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos , tales como diodos emisores de luz .
El arseniuro de aluminio se puede preparar usando métodos bien conocidos, tales como técnicas de epitaxia líquida y en fase de vapor o técnicas de crecimiento en estado fundido. Sin embargo, los cristales de arseniuro de aluminio preparados por estos métodos son generalmente inestables y generan arsina ( As H 3 ) cuando se exponen al aire húmedo.
Síntesis
Se ha informado de poco trabajo sobre la preparación de arseniuro de aluminio, principalmente debido a las dificultades prácticas que entraña. La preparación a partir de la masa fundida es difícil debido al alto punto de fusión del compuesto (aproximadamente 1.700 ° C) y a la extrema reactividad del aluminio a esta temperatura. Algunos trabajadores han preparado pequeños cristales a partir de la masa fundida y también se han producido lingotes policristalinos . Lo mejor de este material tiene una densidad de portadores de impurezas del orden de 10 19 / cm 3 y es de tipo p. [7]
Reactividad
El arseniuro de aluminio es un compuesto estable; sin embargo, deben evitarse los ácidos, los vapores ácidos y la humedad. No se producirá una polimerización peligrosa. La descomposición del arseniuro de aluminio produce gases de arsina peligrosos y humos de arsénico .
Toxicidad
Las propiedades químicas, físicas y toxicológicas del arseniuro de aluminio no se han investigado ni registrado a fondo.
Los compuestos de aluminio tienen muchos usos comerciales y se encuentran comúnmente en la industria. Muchos de estos materiales son químicamente activos y, por lo tanto, exhiben peligrosas propiedades tóxicas y reactivas.
La seguridad
Esta sección está vacía. Puedes ayudar agregando más . ( Octubre de 2015 ) |
Efectos de la exposición
Los compuestos de aluminio tienen muchos usos comerciales y se encuentran comúnmente en la industria. Muchos de estos materiales son químicamente activos y, por lo tanto, exhiben peligrosas propiedades tóxicas y reactivas. Las propiedades químicas, físicas y toxicológicas del arseniuro de aluminio no se han investigado ni registrado a fondo; sin embargo, existen algunos síntomas crónicos y agudos conocidos basados en la administración de sustancias químicas.
La inhalación de arseniuro de aluminio puede causar irritación aguda del sistema respiratorio. También puede causar intoxicación crónica por arsénico, ulceración del tabique nasal, daño hepático y cáncer / enfermedades de la sangre, los riñones y el sistema nervioso. El arseniuro de aluminio es venenoso si se ingiere y puede causar efectos gastrointestinales y cutáneos e intoxicación aguda por arsénico . Las implicaciones crónicas de la ingestión incluyen intoxicación por arsénico, trastornos gastrointestinales, daño hepático y cáncer / enfermedad de la sangre, los riñones y el sistema nervioso. Si se aplica sobre la piel, el arseniuro de aluminio puede causar irritación aguda, pero no se registran efectos crónicos sobre la salud. [8] [ página necesaria ]
Precauciones especiales
Precauciones que se deben tomar durante la manipulación y el almacenamiento: Almacenar en un lugar fresco y seco en recipientes herméticamente cerrados. Asegúrese de que haya una buena ventilación. Abra y manipule el recipiente con cuidado. No almacenar junto con ácidos. Mantener el recipiente herméticamente cerrado.
Referencias
- ^ "Al x Ga 1 − x como" . Base de datos Ioffe . Sankt-Peterburg: FTI im. AF Ioffe, RAN.
- ^ a b c Guía de bolsillo de NIOSH sobre peligros químicos. "# 0038" . Instituto Nacional de Seguridad y Salud Ocupacional (NIOSH).
- ^ Guo, L. "Propiedades estructurales, energéticas y electrónicas de los racimos de arseniuro de aluminio hidrogenado". Revista de investigación de nanopartículas . Vol. 13 Número 5 p. 2029-2039. 2011.
- ^ S. Adachi, GaAs y materiales relacionados: propiedades de superrejilla y semiconductores a granel . (World Scientific, Singapur, 1994)
- ^ Berger, LI (1996). Materiales semiconductores . Prensa CRC. pag. 125 . ISBN 978-0-8493-8912-2.
- ^ a b c d Dierks, S. "Aluminium Arsenide - Material Safety Data" Archivado el 29 de octubre de 2013 en la Wayback Machine . The Fitzgerald Group, MIT, 1994.
- ^ Willardson, R. y Goering, H. (eds.), Semiconductores compuestos , págs. 1, 184 (Reinhold Pub. Corp., Nueva York, 1962).
- ^ Sax. Propiedades peligrosas de los materiales industriales . Octava edición. 2005.
enlaces externos
- Arseniuros
- Compuestos de aluminio
- Semiconductores III-V
- Compuestos III-V
- Estructura cristalina de zincblenda
