 | Este artículo necesita citas adicionales para su verificación . ( septiembre de 2015 ) ( Aprenda cómo y cuándo eliminar este mensaje de plantilla ) |
| Fabricación de dispositivos semiconductores |
|---|
 |
| Escalado MOSFET ( nodos de proceso ) |
|
El proceso de 130 nm se refiere al nivel de tecnología de proceso de semiconductores MOSFET ( CMOS ) que se comercializó alrededor del período de tiempo 2001-2002, por empresas líderes de semiconductores como Fujitsu , [1] IBM , Intel , Texas Instruments y TSMC .
El origen del valor de 130 nm es histórico, ya que refleja una tendencia de escalado del 70% cada 2-3 años. La denominación está determinada formalmente por la Hoja de ruta tecnológica internacional para semiconductores (ITRS).
Algunas de las primeras CPU fabricadas con este proceso incluyen la familia Intel Tualatin de procesadores Pentium III.
Antecedentes [ editar ]
Su primer MOSFET demostrado por el ingeniero egipcio Mohamed Atalla y el ingeniero coreano Dawon Kahng en 1960 tenía una longitud de puerta de 20 μm y un espesor de óxido de puerta de 100 nm . [2] En 1984, Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi y K. Kiuchi en Nippon Telegraph and Telephone (NTT) en Japón fabricaron un MOSFET basado en la lógica NMOS con una longitud de canal de 100 nm . [3]
En 1990, un equipo del Centro de Investigación IBM TJ Watson, dirigido por los ingenieros iraníes Ghavam G. Shahidi y Bijan Davari, y el ingeniero taiwanés Yuan Taur, demostraron un proceso CMOS de 100 nm . [4] En 2001, Fujitsu [1] e IBM comercializaron nodos CMOS de 100 nm .
Procesadores que utilizan tecnología de fabricación de 130 nm [ editar ]
- Fujitsu SPARC64 V - 2001 [5]
- Gekko de IBM y Nintendo ( consola GameCube ) - 2001
- Motorola PowerPC 7447 y 7457 - de 2002
- IBM PowerPC G5 970 - octubre de 2002 - junio de 2003
- Intel Pentium III Tualatin - 2001-04
- Intel Celeron Tualatin -256-2001-10-02
- Intel Pentium M Banias - 2003-03-12
- Intel Pentium 4 Northwood - 07/01/2002
- Intel Celeron Northwood-128-2002-09-18
- Intel Xeon Prestonia y Gallatin - 2002-02-25
- VIA C3 - 2001
- AMD Athlon XP pura sangre, Thorton y Barton
- AMD Athlon MP pura sangre - 2002-08-27
- AMD Athlon XP-M pura sangre, Barton y Dublín
- AMD Duron Applebred - 2003-08-21
- AMD K7 Sempron Thoroughbred-B, Thorton y Barton - 28/07/2004
- AMD K8 Sempron París - 28/07/2004
- AMD Athlon 64 Clawhammer y Newcastle - 2003-09-23
- Martillo AMD Opteron - 2003-06-30
- Elbrus 2000 1891ВМ4Я (1891VM4YA) - 2008-04-27 [6]
- MCST-R500S 1891BM3-2008-07-27 [7]
- Vórtice 86SX [8]
Referencias [ editar ]
- ^ a b Tecnología de proceso CMOS de 65 nm
- ^ Sze, Simon M. (2002). Dispositivos semiconductores: física y tecnología (2ª ed.). Wiley . pag. 4. ISBN 0-471-33372-7.
- ^ Kobayashi, Toshio; Horiguchi, Seiji; Kiuchi, K. (diciembre de 1984). "Características MOSFET submicrónicas profundas con óxido de puerta de 5 nm". Reunión internacional de dispositivos electrónicos de 1984 : 414–417. doi : 10.1109 / IEDM.1984.190738 . S2CID 46729489 .
- ^ Shahidi, Ghavam G .; Davari, Bijan; Taur, Yuan; Warnock, James D .; Wordeman, Matthew R .; McFarland, PA; Mader, SR; Rodríguez, MD (diciembre de 1990). "Fabricación de CMOS sobre SOI ultrafino obtenido por sobrecrecimiento lateral epitaxial y pulido químico-mecánico". Compendio técnico internacional sobre dispositivos electrónicos : 587–590. doi : 10.1109 / IEDM.1990.237130 . S2CID 114249312 .
- ^ Krewell, Kevin (21 de octubre de 2002). "SPARC64 V de Fujitsu es un verdadero negocio". Informe del microprocesador .
- ^ Микропроцессор Эльбрус / МЦСТ. Mcst.ru (en ruso) . Consultado el 10 de septiembre de 2015 .
- ^ "Микропроцессор МЦСТ R500S / МЦСТ" . Mcst.ru (en ruso). Archivado desde el original el 1 de noviembre de 2015 . Consultado el 10 de septiembre de 2015 .
- ^ "CPU de DM&P" . Dmp.com.tw . Consultado el 10 de septiembre de 2015 .
| Precedido por 180 nm | Procesos de fabricación de MOSFET | Sucedido por 90 nm |
