Proceso de 2 nm
| Fabricación de dispositivos semiconductores |
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| Escalado MOSFET ( nodos de proceso ) |
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En la fabricación de semiconductores , el proceso de 2 nm es el siguiente MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) que se encoge después del nodo de proceso de 3 nm . A partir de 2021 , TSMC e Intel han planeado productos de 2 nm en sus hojas de ruta, con TSMC programando la producción más temprana para 2023 e Intel para 2024.[actualizar]
Fondo
A fines de 2018, el presidente de TSMC, Mark Liu, predijo que el escalado del chip continuaría a nodos de 3 nm y 2 nm; [1] Sin embargo, a partir de 2019, otros especialistas en semiconductores estaban indecisos sobre si los nodos más allá de 3 nm podrían volverse viables. [2]
TSMC comenzó a investigar en 2 nm en 2019. [3] Se esperaba que TSMC hiciera la transición de los tipos de transistores FinFET a GAAFET al pasar de 3nm a 2nm. [4] Se ha informado que se espera que TSMC entre en producción de riesgo de 2 nm alrededor de 2023 o 2024. [5]
La hoja de ruta de Intel para 2019 programó nodos potencialmente equivalentes de 3 nm y 2 nm para 2025 y 2027 respectivamente. [6] En diciembre de 2019, Intel anunció planes para la producción de 1,4 nm en 2029. [6]
En agosto de 2020, TSMC comenzó a construir un laboratorio de I + D para la tecnología de 2 nm en Hsinchu, que se espera que esté parcialmente operativo para 2021. [7] En septiembre de 2020 (SEMICON Taiwán 2020) se informó que el presidente de TSMC, Mark Liu, había declarado que la compañía construiría una planta para el nodo de 2 nm en Hsinchu en Taiwán , y que también podría instalar la producción en Taichung dependiendo de la demanda. [8]
A finales de 2020, diecisiete países de la Unión Europea firmaron una declaración conjunta para desarrollar toda su industria de semiconductores, incluido el desarrollo de nodos de proceso tan pequeños como 2 nm, así como el diseño y fabricación de procesadores personalizados, asignando hasta 145 mil millones de euros en fondos. [9] [10]
En mayo de 2021, IBM anunció que había producido un transistor de clase de 2 nm utilizando tres nanohojas de capa de silicio con una longitud de puerta de 12 nm. [11] [12] [13]
En julio de 2021, Intel dio a conocer su hoja de ruta de nodos de proceso a partir de 2021 en adelante. La compañía confirmó su nodo de proceso de 2 nm llamado Intel 20A , con la "A" refiriéndose a angstrom , una unidad equivalente a 0,1 nanómetros. [14] Su nuevo esquema de nomenclatura alineó los nombres de sus productos con designaciones similares de sus principales competidores. [15] Se prevé que el nodo 20A de Intel sea el primero en pasar de los transistores FinFET a los transistores Gate-All-Round ( GAAFET ); La versión de Intel se llama 'RibbonFET'. [15] Su hoja de ruta para 2021 programó la introducción del nodo Intel 20A en 2024. [15]
Más allá de 2 nm
Intel ha planeado productos 18A (equivalente a 1.8 nm) para 2025. [14]
Notas
Referencias
- ^ Patterson, Alan (12 de septiembre de 2018), "TSMC: Chip Scaling Could Accelerate" , www.eetimes.com , archivado desde el original el 24 de septiembre de 2018 , consultado el 23 de septiembre de 2020
- ^ Merritt, Rick (4 de marzo de 2019), "SPIE Conference Predicts Bumpy Chip Roadmap" , www.eetasia.com , archivado desde el original el 27 de junio de 2019 , consultado el 23 de septiembre de 2020
- ^ Zafar, Ramish (12 de junio de 2019), TSMC comenzará la investigación de 2 nm en Hsinchu, Informe de reclamaciones de Taiwán , archivado desde el original el 7 de noviembre de 2020 , consultado el 23 de septiembre de 2020
- ^ "Aspectos destacados del día: Según los informes, TSMC adopta transistores GAA para chips de 2 nm" , www.digitimes.com , 21 de septiembre de 2020, archivado desde el original el 23 de octubre de 2020 , consultado el 23 de septiembre de 2020
- ^ "TSMC ha logrado un gran avance en 2 nm, adoptará la tecnología de GAA y ponerlo en producción en 2023-2024" , finance.technews.tw 13 de julio de 2020, archivado desde el original, el 27 de noviembre 2020 , recuperado 23 de de septiembre de 2020
- ^ a b Cutress, Ian, "Intel's Manufacturing Roadmap from 2019 to 2029: Back Porting, 7nm, 5nm, 3nm, 2nm, and 1.4 nm" , www.anandtech.com , archivado desde el original el 12 de enero de 2021 , recuperado 2020-09-23
- ^ Wang, Lisa (26 de agosto de 2020), "TSMC desarrollando tecnología de 2 nm en un nuevo centro de I + D" , taipeitimes.com , archivado desde el original el 24 de enero de 2021 , consultado el 23 de septiembre de 2020
- ^ Chien-Chung, Chang; Huang, Frances (23 de septiembre de 2020), "TSMC to build 2nm wafer plant in Hsinchu" , focustaiwan.tw , archivado desde el original el 25 de octubre de 2020 , consultado el 23 de septiembre de 2020
- ^ Dahad, Nitin (9 de diciembre de 2020), "La UE firma una declaración de 145.000 millones de euros para desarrollar procesadores de próxima generación y tecnología de 2 nm" , www.eetimes.eu , archivado desde el original el 10 de enero de 2021 , consultado el 9 de enero de 2021
- ^ Declaración conjunta sobre procesadores y tecnologías de semiconductores , UE, 7 de diciembre de 2020, archivado desde el original el 11 de enero de 2021 , recuperado el 9 de enero de 2021
- ^ Nellis, Stephen (6 de mayo 2021), "IBM presenta la tecnología de chip 2 nanómetros para calcular más rápido" , Reuters , archivado desde el original, el 07/05/2021 , recuperada 05/06/2021
- ^ Johnson, Dexter (6 de mayo de 2021), "IBM presenta el primer chip de nodo de 2 nm del mundo" , IEEE Spectrum , archivado desde el original el 7 de mayo de 2021 , recuperado el 7 de mayo de 2021
- ^ La longitud de la puerta de 12 nm es la dimensión definida por el IRDS 2020 para asociarse con el nodo de proceso "1,5 nm": [1]
- ^ a b Cutress, Dr. Ian. "Hoja de ruta de procesos de Intel hasta 2025: ¿con 4 nm, 3 nm, 20 A y 18 A?" . www.anandtech.com . Consultado el 27 de julio de 2021 .
- ^ a b c Santo, Brian (27 de julio de 2021), "Curso de fabricación de gráficos de Intel hasta 2025" , www.eetimes.com
Otras lecturas
- Merritt, Rick (26 de marzo de 2018), "2nm: ¿Fin del camino?" , www.eetasia.com
| Precedido por 3 nm ( FinFET / GAAFET ) | Proceso de fabricación de dispositivos semiconductores MOSFET | Sucedido por desconocido |
- Hoja de ruta tecnológica internacional para los nodos de litografía de semiconductores
