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El proceso de 800  nm se refiere al nivel de tecnología de proceso de fabricación de semiconductores MOSFET que se alcanzó alrededor del período de tiempo 1987-1990, por empresas líderes de semiconductores como NTT , NEC , Toshiba , IBM , Hitachi , Matsushita , Mitsubishi Electric e Intel .

Productos con proceso de fabricación de 0,8 μm [ editar ]

  • NTT introdujo el proceso CMOS de 800  nm para su chip de memoria DRAM de 1 Mbit en 1984. [1] 
  • IBM 's Bijan Davari desarrollado de alto rendimiento, baja tensión, de profundidad inferior a la micra tecnología CMOS a mediados de la década de 1980, lo que permitió el desarrollo de ordenadores más rápidos, así como ordenadores portátiles y alimentados por batería electrónicos de mano . [2]
  • NEC y Toshiba utilizaron este proceso para sus  chips de memoria DRAM de 4 Mbit en 1986. [3]
  • Hitachi , IBM , Matsushita y Mitsubishi Electric utilizaron este proceso para sus  chips de memoria DRAM de 4 Mbit en 1987. [1]
  • Toshiba utilizó el proceso para su chip de memoria EPROM de 4  Mbit en 1987. [3]
  • Hitachi, Mitsubishi y Toshiba utilizaron este proceso para sus chips de memoria SRAM de 1  Mbit en 1987. [3]
  • La CPU Intel 80486 , lanzada en 1989, se fabricó utilizando este proceso.
  • La CPU Intel i960CA , anunciada en 1989, utilizó este proceso. [4]
  • microSPARC que lancé en 1992.
  • Las primeras CPU Intel P5 Pentium a 60 MHz y 66 MHz se lanzaron en 1993. ( BiCMOS )

Referencias [ editar ]

  1. ↑ a b Gealow, Jeffrey Carl (10 de agosto de 1990). "Impacto de la tecnología de procesamiento en el diseño del amplificador de detección DRAM" (PDF) . CORE . Instituto de Tecnología de Massachusetts . págs. 149-166 . Consultado el 25 de junio de 2019 .
  2. ^ "Destinatarios del premio IEEE Andrew S. Grove" . Premio IEEE Andrew S. Grove . Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos . Consultado el 4 de julio de 2019 .
  3. ^ a b c "Memoria" . STOL (Tecnología de semiconductores en línea) . Consultado el 25 de junio de 2019 .
  4. ^ "Microprocesador integrado Intel i960" . Laboratorio Nacional de Alto Campo Magnético . Universidad Estatal de Florida . 3 de marzo de 2003. Archivado desde el original el 3 de marzo de 2003 . Consultado el 29 de junio de 2019 .